[發(fā)明專利]單晶硅棒加工成單晶硅拋光硅片的工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710402195.6 | 申請日： | 2017-06-01 |
| 公開（公告）號： | CN108972919A | 公開（公告）日： | 2018-12-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張進(jìn) | 申請（專利權(quán)）人： | 江蘇拓正茂源新能源有限公司 |
| 主分類號： | B28D5/00 | 分類號： | B28D5/00;B28D5/02;B28D5/04;B24B1/00;B24B9/06 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 221600 江蘇省徐州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 單晶硅 單晶硅棒 拋光硅片 拋光 加工 單晶生長 端面磨削 加工效率 設(shè)備要求 研磨 切片 倒角 滾磨 清洗 腐蝕 | ||
1.一種單晶硅棒加工成單晶硅拋光硅片的工藝，其特征在于：所述的工藝包括以下步驟：
切斷
切除單晶硅棒的頭部、尾部，將單晶硅棒切成的長度；
外徑磨削
采用外圓磨床對切斷后的單晶硅進(jìn)行外徑滾磨；
端面磨削
采用數(shù)控單晶硅端面磨床對所述單晶硅進(jìn)行端面磨削；
切片
將所述磨削后的單晶硅棒切成預(yù)設(shè)幾何尺寸的薄晶片；
倒角
采用倒角機將切割成的晶片稅利邊修整成圓弧形，防止晶片邊緣破裂及晶格缺陷產(chǎn)生，增加磊晶層及光阻層的平坦度；
研磨
采用雙面研磨機對倒角后的單晶硅晶片進(jìn)行研磨；所述研磨采用的原料包括：研磨漿料和滑浮液；
腐蝕
采用化學(xué)腐蝕去除晶片表面受加工應(yīng)力而形成的損傷層；
拋光
采用拋光機對腐蝕處理后的所述單晶硅片表面進(jìn)行拋光；
清洗
采用RCA濕式化學(xué)洗凈方法對所述拋光后的單晶硅片進(jìn)行清洗。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅棒加工成單晶硅拋光硅片的工藝，其特征在于所述的切斷步驟中是采用四方切割機進(jìn)行切斷。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅棒加工成單晶硅拋光硅片的工藝，其特征在于所述的切片步驟中是采用內(nèi)園切割機或線切割機進(jìn)行切片。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅棒加工成單晶硅拋光硅片的工藝，其特征在于所述的研磨漿料的成份包括：氧化鋁、鉻砂和水。
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