[發明專利]一種薄SOI短路陽極LIGBT

在審

• 申請號: 201710421002.1
• 申請日: 2017-06-07
• 公開（公告）號: CN107240603A
• 公開（公告）日: 2017-10-10
• 發明（設計）人: 羅小蓉;黃琳華;鄧高強;周坤;魏杰;孫濤;劉慶;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/739
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務所(普通合伙)51232
• 代理人: 孫一峰

1.一種薄SOI短路陽極LIGBT，包括自下而上依次層疊設置的P襯底(1)、埋氧層(2)和頂部半導體層；沿器件橫向方向，所述的頂部半導體層從器件一側到另一側依次具有陰極結構、P阱區(4)、N漂移區(3)和陽極結構；所述陰極結構包括P+體接觸區(6)和N+陰極區(5)，所述P+體接觸區(6)的底部與埋氧層(2)接觸，所述N+陰極區(5)位于P阱區(4)上層，且N+陰極區(5)與P+體接觸區(6)和P阱區(4)接觸，P+體接觸區(6)與P阱區(4)接觸；P+體接觸區(6)和N+陰極區(5)的共同引出端為陰極；所述P阱區(4)與N漂移區(3)接觸；在所述N+陰極區(5)與N漂移區(3)之間的P阱區(4)上表面具有柵極結構；所述柵極結構包括柵介質(7)和覆蓋在柵介質(7)之上的柵多晶硅(8)，柵多晶硅(8)的引出端為柵電極；所述陽極結構包括沿器件縱向方向交替排列的P+陽極區(9)和N+陽極區(10)，所述P+陽極區(9)和N+陽極區(10)與N漂移區(3)和埋氧層(2)接觸，所述P+陽極區(9)和N+陽極區(10)的共同引出端為陽極；其特征在于，還包括N型島(11)，所述N型島(11)位于P+陽極區(9)和N+陽極區(10)靠近陰極結構的一側，沿器件縱向方向，所述N型島(11)為間斷分布排列，且N型島(11)的底部與埋氧層(2)接觸，相鄰N型島(11)之間為N漂移區(3)。

2.根據權利要求1所述的一種薄SOI短路陽極LIGBT，其特征在于，所述N型島(11)與P+陽極區(9)和N+陽極區(10)在橫向上被N漂移區(3)間隔。

3.根據權利要求1所述的一種薄SOI短路陽極LIGBT，其特征在于，所述N型島(11)與P+陽極區(9)和N+陽極區(10)接觸。

4.根據權利要求2或3所述的一種薄SOI短路陽極LIGBT，其特征在于，相鄰N型島(11)的縱向間距相等。

5.根據權利要求2或3所述的一種薄SOI短路陽極LIGBT，其特征在于，相鄰N型島(11)的縱向間距不相等，且其縱向間距在越靠近N+陽極區(10)處越大。