[實用新型]一種板式PECVD機臺有效
| 申請號： | 201720154337.7 | 申請日： | 2017-02-20 |
| 公開（公告）號： | CN206591180U | 公開（公告）日： | 2017-10-27 |
| 發明（設計）人： | 袁中存;黨繼東 | 申請（專利權）人： | 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;鹽城阿特斯協鑫陽光電力科技有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/52 | 分類號： | C23C16/52;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司11332 | 代理人： | 張海英,林波 |
| 地址： | 215129 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 板式 pecvd 機臺 | ||
1.一種板式PECVD機臺，其特征在于，包括放置有石墨框(2)的傳輸滾輪(3)，沿著所述傳輸滾輪(3)的上傳輸方向依次排放的進料腔(4)、預熱腔(5)、用于在硅片(1)的正面絨面(11)的正面形成正面氮化硅層(12)的第一工藝腔(6)、冷卻腔(9)以及出料腔(10)，
所述第一工藝腔(6)與所述冷卻腔(9)之間還設置有用于在硅片(1)的背面形成背面氮化硅層(14)的第二工藝腔(7)，所述第二工藝腔(7)與所述冷卻腔(9)之間還設置有用于在硅片(1)的背面氮化硅層(14)的背面形成背面二氧化硅層(15)的第三工藝腔(8)；
待加工的硅片(1)放置在所述石墨框(2)上，并沿著所述傳輸滾輪(3)的上傳輸方向依次經過所述進料腔(4)、所述預熱腔(5)、所述第一工藝腔(6)、所述第二工藝腔(7)、所述第三工藝腔(8)、所述冷卻腔(9)及所述出料腔(10)。
2.根據權利要求1所述的板式PECVD機臺，其特征在于，所述第二工藝腔(7)中通入有氨氣和硅烷氣體，且所第二工藝腔(7)中配有第一微波激發裝置。
3.根據權利要求2所述的板式PECVD機臺，其特征在于，經所述第二工藝腔(7)沉積的所述背面氮化硅層(14)的厚度為50～100nm，折射率為2.30～2.60。
4.根據權利要求3所述的板式PECVD機臺，其特征在于，所述背面氮化硅層(14)的厚度為80nm，折射率為2.50。
5.根據權利要求1所述的板式PECVD機臺，其特征在于，所述第三工藝腔(8)中通入有硅烷和笑氣，且所第三工藝腔(8)中配有第二微波激發裝置。
6.根據權利要求5所述的板式PECVD機臺，其特征在于，所述第三工藝腔(8)沉積的所述背面二氧化硅層(15)的厚度為20～50nm，折射率為1.45～1.70。
7.根據權利要求6所述的板式PECVD機臺，其特征在于，所述背面二氧化硅層(15)的厚度為30nm，折射率為1.65。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
