[實用新型]大電流直流電路的通斷控制裝置

有效

• 申請號: 201721616602.5
• 申請日: 2017-11-28
• 公開（公告）號: CN207490891U
• 公開（公告）日: 2018-06-12
• 發明（設計）人: 馬慶龍;謝愷;楊瑞賡;黃平;石曉龍;吳昊;劉昌昌
• 申請（專利權）人: 浙江中航通飛研究院有限公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687;H03K17/041
• 代理公司: 杭州九洲專利事務所有限公司 33101
• 代理人: 翁霽明

1.大電流直流電路的通斷控制裝置，它包括兩個背對背連接的、允許電路雙向控制的MOSFET ，其特征在于所述兩個背對背連接構型的MOSFET由一驅動電路驅動相連，所述的驅動電路與一能夠接收高電平控制信號的信號處理模塊相連；

所述的驅動電路主要由一NMOS高邊驅動芯片（IC2）組成，該高邊驅動芯片（IC2）的針腳1、5之間串接有一自舉二極管（D），而在針腳4、6之間相接有一電容（C），針腳4、5分別連接于兩個MOSFET的S極和G極，所述高邊驅動芯片（IC2）的信號輸入針腳3連接于具有延時輸出功能的信號處理芯片（IC1）構成的信號處理模塊；

所述信號處理芯片（IC1）的信號輸出針腳1與高邊驅動芯片（IC2）的信號輸入針腳3相連，而所述信號處理芯片（IC1）的信號輸入針腳3外連高電平的控制信號。

2.根據權利要求1所述的大電流直流電路的通斷控制裝置，其特征在于所述的驅動電路還配置有一由震蕩電路芯片（IC3）及其外部組件組成的振蕩充電電路，所述震蕩電路芯片（IC3）的針腳3通過一充電電容（C1）與高邊驅動芯片（IC2）針腳4、6之間相接的電容（C）串接，并在震蕩電路芯片（IC3）輸出為低電平時，MOSFET的S極向充電電容（C1）充電，在震蕩電路芯片（IC3）輸出為高電平時，充電電容（C1）向電容（C）充電。