[發明專利]半導體儲存器的晶體管結構及其制造方法

在審

• 申請號: 201810241906.0
• 申請日: 2018-03-22
• 公開（公告）號: CN110299324A
• 公開（公告）日: 2019-10-01
• 發明（設計）人: 吳小飛
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L21/265;H01L27/088
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務所 11313
• 代理人: 由元;張臻賢

1.一種半導體儲存器的晶體管結構的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底，并在所述襯底中形成多個有源區；

形成多個埋入式的字線于所述襯底中，每個所述有源區與兩個所述字線相交；

刻蝕所述襯底的所述有源區中在相交的兩個所述字線間的中央區域，以形成接觸窗；

沉積導電材料于所述接觸窗及所述襯底在所述有源區之間的區域上；

形成位線于所述襯底上；

以所述位線為掩膜刻蝕所述導電材料，以在所述接觸窗中形成位線接觸墊，其中，所述位線和所述有源區的迭合區域在形狀與尺寸上非完全匹配于所述接觸窗，使所述位線接觸墊形成在所述位線覆蓋所述有源區的區域下且不完全填滿所述接觸窗，所述接觸窗包括未覆蓋所述位線接觸墊及所述位線的區域；以及

通過所述接觸窗的未覆蓋區域向所述有源區注入離子，以形成離子再注入區域，以減緩所述接觸窗在所述位線的交迭區域外的電場強度。

2.根據權利要求1所述的半導體儲存器的晶體管結構的制造方法，其特征在于，所述離子再注入區域在所述有源區上的形狀包括三角形。

3.根據權利要求1所述的半導體儲存器的晶體管結構的制造方法，其特征在于，所述有源區兩側的源漏極區在靠近所述字線的側邊更形成為離子再注入擴散區域，所述離子再注入擴散區域毗鄰所述字線。

4.根據權利要求1所述的半導體儲存器的晶體管結構的制造方法，其特征在于，再注入的所述離子的型態與所述有源區中原始摻雜的離子型態相反，使得所述離子再注入區域中所述原始摻雜的離子濃度低于所述有源區中的所述原始摻雜的離子濃度。

5.根據權利要求1、2、3或4所述的半導體儲存器的晶體管結構的制造方法，其特征在于，在提供所述襯底的步驟中，隔離結構設置于所述襯底中，所述隔離結構形成于相鄰所述有源區之間。

6.根據權利要求5所述的半導體儲存器的晶體管結構的制造方法，其特征在于，所述字線呈直線延伸方式埋入于所述襯底中，并貫穿所述有源區及所述有源區之間的所述隔離結構，所述離子再注入區域的注入深度等于大于所述字線的頂面距離所述襯底的上表面的第一埋入深度，但小于所述有源區的離子布植深度。

7.根據權利要求6所述的半導體儲存器的晶體管結構的制造方法，其特征在于，在形成所述位線的步驟中，所述位線呈波浪狀延伸方式排列在所述襯底上，且所述位線交迭在所述隔離結構上的區段長度大于所述位線交迭在所述有源區上的區段長度兩倍以上。

8.根據權利要求1所述的半導體儲存器的晶體管結構的制造方法，其特征在于，還包括：

在形成所述字線后，沉積保護層于所述有源區表面及所述字線上，并在所述字線之間形成所述保護層的開口槽，以供后續形成所述有源區的所述接觸窗。

9.一種半導體儲存器的晶體管結構，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底中形成有源區；

字線，以埋入式設置在所述襯底中，并與所述有源區相交；所述有源區具有接觸窗，位于相鄰兩個所述字線之間；

位線接觸墊，沉積形成于所述接觸窗上；以及

位線，形成于所述襯底上，所述位線與所述有源區相交錯部位連接所述位線接觸墊，所述位線接觸墊形成在所述位線遮蓋所述有源區的區域下而不完全填滿所述接觸窗；

其中，所述有源區還具有離子再注入區域，位于所述接觸窗中且未覆蓋所述位線接觸墊及所述位線的區域，以減緩所述接觸窗在所述位線的交迭區域外的電場強度。

10.根據權利要求9所述的半導體儲存器的晶體管結構，其特征在于，所述接觸窗通過局部蝕刻所述有源區的中間部位而形成。

11.根據權利要求10所述的半導體儲存器的晶體管結構，其特征在于，所述有源區兩側的源漏極區在靠近所述字線的側邊更形成為離子再注入擴散區域，所述離子再注入擴散區域毗鄰所述字線。