[實用新型]一種晶體管、堆疊晶體管及射頻開關芯片有效
| 申請號： | 201821409968.X | 申請日： | 2018-08-29 |
| 公開（公告）號： | CN208738258U | 公開（公告）日： | 2019-04-12 |
| 發明（設計）人： | 鐘立平;張志浩;章國豪 | 申請（專利權）人： | 廣東工業大學 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/768;H01L25/07;H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 羅滿 |
| 地址： | 510006 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬層 漏區 源區 晶體管 堆疊晶體管 射頻開關 芯片 芯片內部金屬層 插入損耗 電路設計 堆疊設置 金屬走線 耦合 第一層 隔離度 錯開 申請 平行 | ||
1.一種晶體管，包括在水平方向相互平行的源區和漏區，所述源區和所述漏區上設置有第一預定數量個金屬層，其中，各個所述金屬層堆疊設置，所述源區和所述漏區分別通過第二預定數量個過孔與第一層金屬層連接，其特征在于，
屬于所述源區區域的各個金屬層之間通過至少一個第一過孔連接；
屬于所述漏區區域的各個金屬層之間通過至少一個第二過孔連接；
其中，在同一所述金屬層中，所述第一過孔與所述第二過孔不設置于相對位置。
2.如權利要求1所述的晶體管，其特征在于，各個所述過孔分別在所述源區和所述漏區上按照預定間隔設置。
3.如權利要求2所述的晶體管，其特征在于，所述第一過孔的數量與所述第二過孔的數量相同。
4.如權利要求3所述的晶體管，其特征在于，所述第一過孔的數量與所述第二過孔的數量均為一個；
其中，在同一所述金屬層中，所述第一過孔與所述第二過孔分別設置于所述金屬層不同的兩端。
5.如權利要求3所述的晶體管，其特征在于，所述第一過孔的數量與所述第二過孔的數量均為多個；
其中，在同一所述金屬層中，各個所述第一過孔設置于所述金屬層的前半端，各個所述第二過孔設置于所述金屬層的后半端；且所述金屬層的前半端與所述金屬層的后半端不相對設置。
6.如權利要求5所述的晶體管，其特征在于，各個所述第一過孔在所述金屬層的前半端按照所述預定間隔設置；各個所述第二過孔在所述金屬層的后半端按照所述預定間隔設置。
7.如權利要求1至6任意一項所述的晶體管，其特征在于，在任意兩個相鄰的所述金屬層中，各個所述第一過孔的設置位置的連線不與所述源區垂直；各個所述第二過孔的設置位置的連線不與所述漏區垂直。
8.一種堆疊晶體管，其特征在于，包括多個如權利1至7任意一項所述的晶體管。
9.一種射頻開關芯片，其特征在于，包括多個如權利要求8所述的堆疊晶體管。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于廣東工業大學，未經廣東工業大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://m.szxzyx.cn/pat/books/201821409968.X/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：功率半導體器件
- 下一篇：雙垂直溝道晶體管和集成電路存儲器
- 同類專利
- 專利分類
