[實用新型]一種采用微波CVD法制備的高質(zhì)量金剛石顆粒的復(fù)合片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821473203.2
• 申請日: 2018-09-10
• 公開（公告）號: CN209176261U
• 公開（公告）日: 2019-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 龔闖;吳劍波;朱長征;余斌
• 申請（專利權(quán)）人: 上海征世科技有限公司
• 主分類號: B32B9/00
• 分類號: B32B9/00;B32B9/04;B32B15/04;B32B3/08;B32B1/06;B32B3/24;B32B33/00
• 代理公司: 上海精晟知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31253
• 代理人: 馮子玲

1.一種采用微波CVD法制備的高質(zhì)量金剛石顆粒的復(fù)合片，其特征在于，所述復(fù)合片包括：

硬質(zhì)合金層，所述硬質(zhì)合金層的上表面和下表面分別設(shè)有若干個安置槽，每個安置槽內(nèi)內(nèi)嵌一個第一金剛石顆粒，所述硬質(zhì)合金層的上表面和下表面分別設(shè)有若干個圓形凸臺，在每個圓形凸臺上設(shè)有一凹槽；

上金剛石層，所述上金剛石層通過化學(xué)氣相沉積工藝直接沉積在硬質(zhì)合金層的上表面；

下金剛石層，所述下金剛石層通過化學(xué)氣相沉積工藝直接沉積在硬質(zhì)合金層的上表面，上金剛石層和下金剛石層沉積在硬質(zhì)合金層的上表面和下表面時，各個圓形凸臺可分別深入到上金剛石層和下金剛石層內(nèi)，從而形成硬質(zhì)合金骨架；

上緩沖層，所述上緩沖層設(shè)置在上金剛石層的上表面；

下緩沖層，所述下緩沖層設(shè)置在下金剛石層的下表面；

上散熱層，所述上散熱層設(shè)置在上緩沖層的上表面，所述上散熱層兩側(cè)分別設(shè)有若干個散熱孔；

下散熱層，所述下散熱層設(shè)置在下緩沖層的下表面，所述下散熱層兩側(cè)分別設(shè)有若干個散熱孔；

上硬質(zhì)合金層，所述上硬質(zhì)合金層設(shè)置在上散熱層的上表面，所述上硬質(zhì)合金層的下表面設(shè)有若干個安置槽，每個安置槽內(nèi)內(nèi)嵌一個第四金剛石顆粒；

下硬質(zhì)合金層，所述下硬質(zhì)合金層設(shè)置在下散熱層的下表面，所述下硬質(zhì)合金層的上表面設(shè)有若干個安置槽，每個安置槽內(nèi)內(nèi)嵌一個第五金剛石顆粒。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種采用微波CVD法制備的高質(zhì)量金剛石顆粒的復(fù)合片，其特征在于，所述硬質(zhì)合金層的厚度為1mm～2mm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種采用微波CVD法制備的高質(zhì)量金剛石顆粒的復(fù)合片，其特征在于，所述上金剛石層的厚度大于下金剛石層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種采用微波CVD法制備的高質(zhì)量金剛石顆粒的復(fù)合片，其特征在于，所述上緩沖層的厚度大于下緩沖層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種采用微波CVD法制備的高質(zhì)量金剛石顆粒的復(fù)合片，其特征在于，所述上散熱層與下散熱層的厚度相同。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種采用微波CVD法制備的高質(zhì)量金剛石顆粒的復(fù)合片，其特征在于，所述上硬質(zhì)合金層的厚度大于下硬質(zhì)合金層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種采用微波CVD法制備的高質(zhì)量金剛石顆粒的復(fù)合片，其特征在于，第一金剛石顆粒、第四金剛石顆粒和第五金剛石顆粒都采用微波CVD法制備而成。