[發明專利]發光二極管模塊以及顯示裝置

在審

• 申請號: 201911069059.5
• 申請日: 2019-11-05
• 公開（公告）號: CN111146230A
• 公開（公告）日: 2020-05-12
• 發明（設計）人: 李振燮;盧慧錫;成漢珪;崔榮進
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/38;H01L33/50
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉美華;尹淑梅

1.一種發光二極管模塊，所述發光二極管模塊包括：

單元陣列，包括第一發光二極管單元至第四發光二極管單元，每個發光二極管單元具有第一導電半導體層、有源層以及第二導電半導體層，所述單元陣列具有第一表面以及與所述第一表面相對的第二表面；

第一調光部分至第四調光部分，位于所述單元陣列的所述第二表面上以分別對應于所述第一發光二極管單元至所述第四發光二極管單元，從而分別提供紅光、第一綠光、第二綠光和藍光；

光阻擋壁，位于所述第一調光部分至所述第四調光部分之間以將所述第一調光部分至所述第四調光部分彼此隔離；以及

電極部分，位于所述單元陣列的所述第一表面上，并且電連接到所述第一發光二極管單元至所述第四發光二極管單元以選擇性地驅動所述第一發光二極管單元至所述第四發光二極管單元。

2.根據權利要求1所述的發光二極管模塊，其中：

所述第一發光二極管單元至所述第四發光二極管單元發射藍光，并且

所述第一調光部分包括將藍光轉換成所述紅光的第一波長轉換部分，所述第二調光部分包括將藍光轉換成所述第一綠光的第二波長轉換部分，并且所述第三調光部分包括將藍光轉換成所述第二綠光的第三波長轉換部分。

3.根據權利要求2所述的發光二極管模塊，其中，所述第一綠光具有510納米至525納米的峰值波長，所述第二綠光具有530納米至540納米的峰值波長。

4.根據權利要求3所述的發光二極管模塊，其中，所述第一綠光和所述第二綠光各自具有55納米或更窄的半峰全寬。

5.根據權利要求3所述的發光二極管模塊，其中，所述藍光具有460納米至470納米的峰值波長，所述紅光具有620納米至640納米的峰值波長。

6.根據權利要求5所述的發光二極管模塊，其中，所述紅光和所述藍光各自具有30納米或更窄的半峰全寬。

7.根據權利要求1所述的發光二極管模塊，其中，所述發光二極管模塊的色域覆蓋CIE1931坐標系中的BT.2020區域的90％或更高。

8.根據權利要求2所述的發光二極管模塊，其中，所述第一調光部分至所述第三調光部分還包括分別位于所述第一波長轉換部分至所述第三波長轉換部分上的濾波器，所述濾波器阻擋所述藍光。

9.根據權利要求1所述的發光二極管模塊，其中，所述第四調光部分包括包含用于降低光學輸出的光吸收材料的透明樹脂層。

10.根據權利要求1所述的發光二極管模塊，其中：

所述第一發光二極管單元至所述第四發光二極管單元發射紫外光，并且

所述第一調光部分至所述第四調光部分分別包括第一波長轉換部分至第四波長轉換部分，所述第一波長轉換部分至所述第四波長轉換部分分別將所述紫外光轉換成所述紅光、所述第一綠光、所述第二綠光和所述藍光。

11.根據權利要求1所述的發光二極管模塊，其中，所述單元陣列還包括分別圍繞所述第一發光二極管單元至所述第四發光二極管單元以將所述第一發光二極管單元至所述第四發光二極管單元彼此隔離的反射絕緣部分，并且所述光阻擋壁連接到所述反射絕緣部分。

12.根據權利要求11所述的發光二極管單元，其中，所述反射絕緣部分包括其中具有不同折射率的多個絕緣膜交替堆疊的分布式布拉格反射器結構。

13.根據權利要求11所述的發光二極管模塊，其中，所述反射絕緣部分各自包括分別圍繞所述第一發光二極管單元至所述第四發光二極管單元的絕緣層和位于所述絕緣層上的金屬反射層。