[實用新型]具改質襯底的半導體外延器件有效
| 申請號： | 201922062893.3 | 申請日： | 2019-11-26 |
| 公開（公告）號： | CN211062722U | 公開（公告）日： | 2020-07-21 |
| 發明（設計）人： | 鐘瑞倫;吳俊鵬 | 申請（專利權）人： | 吳俊鵬;陳紀宇 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/161 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市北*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具改質 襯底 半導體 外延 器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種具改質襯底的半導體外延器件，其特征在于，包含:
襯底；
氧化層，所述氧化層設置在所述襯底上；
碳化層，所述碳化層設置在所述氧化層上；以及
氮化鎵外延層，所述氮化鎵外延層設置在所述碳化層上。
2.如權利要求1所述的具改質襯底的半導體外延器件，其特征在于，所述襯底為硅。
3.如權利要求1所述的具改質襯底的半導體外延器件，其特征在于，所述氧化層為硅的氧化物。
4.如權利要求1所述的具改質襯底的半導體外延器件，其特征在于，所述碳化層為碳化硅。
5.如權利要求1所述的具改質襯底的半導體外延器件，其特征在于，所述氮化鎵外延層為單層結構。
6.如權利要求1所述的具改質襯底的半導體外延器件，其特征在于，所述氮化鎵外延層為多層結構，所述多層結構具有不同的五三比。
7.如權利要求1所述的具改質襯底的半導體外延器件，其特征在于，所述氧化層的厚度為100nm-2000nm。
8.如權利要求1所述的具改質襯底的半導體外延器件，其特征在于，所述碳化層的厚度為50nm-2000nm。
9.如權利要求1所述的具改質襯底的半導體外延器件，其特征在于，所述氮化鎵外延層的厚度為500nm-6000nm。
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