[發(fā)明專利]存儲器裝置、磁阻式隨機(jī)存取存儲器裝置及其形成方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010696355.4 | 申請日： | 2020-07-20 |
| 公開（公告）號： | CN112310275A | 公開（公告）日： | 2021-02-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 葛衛(wèi)倫;林世杰;宋明遠(yuǎn) | 申請（專利權(quán)）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L43/08 | 分類號： | H01L43/08;H01L43/06;H01L43/02;H01L43/04;H01L43/12;H01L43/14 |
| 代理公司： | 南京正聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 存儲器 裝置 磁阻 隨機(jī)存取存儲器 及其 形成 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種存儲器裝置，包括：
磁隧道結(jié)結(jié)構(gòu)，上覆在半導(dǎo)體襯底之上，其中所述磁隧道結(jié)結(jié)構(gòu)包括自由層、參考層及設(shè)置在所述自由層與所述參考層之間的隧道障壁層；
底部電極通孔，位于所述磁隧道結(jié)結(jié)構(gòu)之下，其中所述底部電極通孔從所述磁隧道結(jié)結(jié)構(gòu)橫向偏移一橫向距離；
自旋軌道扭矩層，垂直設(shè)置在所述底部電極通孔與所述磁隧道結(jié)結(jié)構(gòu)之間，其中所述自旋軌道扭矩層沿所述底部電極通孔與所述磁隧道結(jié)結(jié)構(gòu)之間的所述橫向距離連續(xù)延伸；以及
分流層，延伸跨過所述自旋軌道扭矩層的上表面，其中所述分流層延伸跨過所述橫向距離的至少一部分。
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