[發明專利]薄膜、層疊體、帶薄膜層的半導體晶圓、帶薄膜層的半導體搭載用基板和半導體裝置在審

申請號：	202080047344.1	申請日：	2020-06-26
公開（公告）號：	CN114026682A	公開（公告）日：	2022-02-08
發明（設計）人：	岡庭正志;東口鉱平;關戶隆人;高野健太郎;木田剛	申請（專利權）人：	三菱瓦斯化學株式會社
主分類號：	H01L23/24	分類號：	H01L23/24;C08J5/18;C08L79/08;C08K5/14
代理公司：	北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277	代理人：	劉新宇;李茂家
地址：	日本***	國省代碼：	暫無信息
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摘要：
搜索關鍵詞：	薄膜層疊半導體搭載用基板裝置
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【說明書】：

本發明提供一種薄膜，其包含：含有選自由馬來酰亞胺化合物和檸康酰亞胺化合物組成的組中的至少1種的化合物(A)；含有選自由特定式所示的有機過氧化物組成的組中的至少1種的有機過氧化物(B)；和，氫過氧化物(C)。

技術領域

本發明涉及薄膜、使用了薄膜的層疊體、帶薄膜層的半導體晶圓、帶薄膜層的半導體搭載用基板、和薄膜。詳細而言，本發明涉及作為預施底充膠材料有用的薄膜。

背景技術

近年來，隨著半導體裝置的小型化、及高性能化，作為將半導體芯片(以下，有時簡記為“芯片”。)搭載于半導體搭載用基板(以下，有時簡記為“基板”。)的方法，倒裝芯片安裝受到關注。倒裝芯片安裝一般為如下工藝：將芯片與基板接合后，向芯片與基板的間隙填充底充膠材料并使其固化。但是，隨著半導體裝置的小型化、高性能化，排列于芯片的電極的窄間距化、電極間的窄間隙(gap)化在推進，底充膠材料的填充的長時間化導致的操作性的惡化、未填充等填充不良的產生成為問題。對此，正在研究如下工藝：對芯片或基板供給預施底充膠材料后、同時進行芯片與基板的接合、和底充膠材料的填充。

底充膠材料為與芯片及基板直接接觸的構件，因此作為對底充膠材料要求的重要的特性，可以舉出：在制造半導體裝置的工序中，確保最佳的熔融粘度，和在制造和使用半導體裝置的環境下，抑制芯片和基板之間的底充膠未填充部分(以下，有時簡稱為“空隙”)。

專利文獻1中記載了主樹脂使用了自由基聚合性單體的預施底充膠材料。該專利文獻1中有關于以提高與芯片的粘接性為目的的硅烷偶聯劑的配混的記載。

專利文獻2中記載了包含環氧樹脂、咪唑化合物和馬來酰亞胺化合物的底充膠材料。

專利文獻3中記載了使用環氧化合物、含羧基助焊劑成分的預施底充膠材料，并提及了粘接。

專利文獻4中記載了以馬來酰亞胺化合物、環氧樹脂和環氧樹脂固化劑為必須成分的樹脂組合物，記載了熱固化后的樹脂組合物可得到高的密合性。

專利文獻5中有關于印刷電路基板用樹脂組合物的記載，其是為了形成印刷電路基板中的絕緣層而使用的熱固化性樹脂組合物，且含有：具有特定結構的馬來酰亞胺化合物、苯并噁嗪化合物和無機填充材料(C)。

專利文獻6中有關于電子部件用粘接劑的記載，其含有：脂肪族環氧化合物和苯并噁嗪化合物作為固化主劑，并且含有酚系固化劑。

專利文獻7中有關于粘接劑組合物的記載，其含有：熱固化性化合物、具有可與前述熱固化性化合物反應的官能團的聚合物、和熱固化劑，該粘接劑組合物在接合溫度下的熔融粘度為10Pa·s以上且15000Pa·s以下，在接合溫度下的膠凝時間為10秒以上，并且在240℃下的膠凝時間為1秒以上且10秒以下。

專利文獻8中記載了使用片狀熱固化性樹脂組合物的半導體裝置的制造方法。

另外，將芯片與基板借助容易被氧化的金屬、例如焊料、銅而接合的情況下，為了將成為接合的阻礙要因的金屬氧化膜從接合部去除從而得到良好的金屬接合，有時在預施底充膠材料中添加源自羧酸等的助焊劑成分。

現有技術文獻

專利文獻