[發明專利]晶圓生產監控方法、系統與電子設備

有效

• 申請號: 202110761390.4
• 申請日: 2021-07-06
• 公開（公告）號: CN113488414B
• 公開（公告）日: 2023-10-13
• 發明（設計）人: 宋文康
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;G03F9/00
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 孫寶海;袁禮君

本公開提供一種晶圓生產監控方法、系統與電子設備。晶圓生產監控方法包括：在生產晶圓經過多個工藝站點到達光刻工藝站點后，獲取所述生產晶圓當前層與參考層的多個套刻誤差；將所述多個套刻誤差滿足預設條件的所述生產晶圓標記為待檢晶圓；在所述待檢晶圓的數量達到第一預設值時，根據每個所述生產晶圓中的所述多個套刻誤差的特征確定待檢工藝站點，所述待檢工藝站點為對全部所述生產晶圓的套刻誤差特征影響最大的工藝站點；根據所述待檢工藝站點中的多個機臺與所述待檢晶圓的對應關系在所述待檢工藝站點中確定待檢機臺。本公開實施例可以自動定位導致套刻誤差超出工藝標準的機臺。

技術領域

本公開涉及集成電路制造領域，具體而言，涉及一種晶圓生產監控方法、系統與電子設備。

背景技術

套刻誤差是指晶圓上當前層與參考層之間的相對位置之間的偏差。為了提高集成電路的質量，通常對每一層設置套刻誤差標準以進行檢測，不同層可以具有不同的套刻誤差標準。

在實際生產過程中，通常需要根據晶圓的套刻誤差情況對集成電路制造站點和機臺進行檢修，以減小后續的套刻誤差，即套刻誤差溯源。當前通常由人工對多個晶圓的套刻誤差進行分析，耗費時間較長，分析的時效性較差，且可能存在一定的疏漏。

需要說明的是，在上述背景技術部分公開的信息僅用于加強對本公開的背景的理解，因此可以包括不構成對本領域普通技術人員已知的現有技術的信息。

發明內容

本公開的目的在于提供一種晶圓生產監控方法、系統與電子設備，用于至少在一定程度上克服由于相關技術的限制和缺陷而導致的套刻誤差溯源效率低的問題。

根據本公開實施例的第一方面，提供一種晶圓生產監控方法，包括：在生產晶圓經過多個工藝站點到達光刻工藝站點后，獲取所述生產晶圓當前層與參考層的多個套刻誤差；將所述多個套刻誤差滿足預設條件的所述生產晶圓標記為待檢晶圓；在所述待檢晶圓的數量達到第一預設值時，根據每個所述生產晶圓中的所述多個套刻誤差的特征確定待檢工藝站點，所述待檢工藝站點為對全部所述生產晶圓的套刻誤差特征影響最大的工藝站點；根據所述待檢工藝站點中的多個機臺與所述待檢晶圓的對應關系在所述待檢工藝站點中確定待檢機臺。

在本公開的一種示例性實施例中，所述獲取所述生產晶圓當層與前層的套刻誤差包括獲取所述生產晶圓當前層與參考層的套刻誤差圖像，所述根據每個所述生產晶圓中的所述多個套刻誤差的特征確定待檢工藝站點包括：根據多個所述生產晶圓的所述套刻誤差圖像確定至少一個套刻誤差特征；確定目標生產晶圓的套刻誤差圖像與所述套刻誤差特征的相關度，所述目標生產晶圓為多個所述生產晶圓中的任意一個；根據所述相關度最大的所述套刻誤差特征確定所述目標生產晶圓的待識別特征；獲取所述目標生產晶圓在所述多個工藝站點的多個工藝誤差特征；確定所述多個工藝誤差特征與所述待識別特征的相似度，將所述相似度最大的工藝誤差特征對應的工藝站點確定為對所述目標生產晶圓的套刻誤差特征影響最大的目標工藝站點。

在本公開的一種示例性實施例中，所述目標生產晶圓的套刻誤差圖像與所述套刻誤差特征的相關度包括：所述目標生產晶圓的套刻誤差圖像對每個所述套刻誤差特征的貢獻因子。

在本公開的一種示例性實施例中，所述目標生產晶圓的套刻誤差圖像與所述套刻誤差特征的相關度包括：每個所述套刻誤差特征對所述目標生產晶圓的套刻誤差圖像的貢獻因子。

在本公開的一種示例性實施例中，所述根據所述相關度最大的所述套刻誤差特征確定所述目標生產晶圓的待識別特征包括：在最大的所述相關度大于等于第二預設值時，確定最大的所述相關度對應的套刻誤差特征在所述目標生產晶圓的套刻誤差圖像中的對應區域為所述目標生產晶圓的待識別特征；在最大的所述相關度小于所述第二預設值時，判斷所述目標生產晶圓不存在待識別特征。

在本公開的一種示例性實施例中，所述根據每個所述生產晶圓中的所述套刻誤差特征確定待檢工藝站點包括：根據每個所述生產晶圓對應的目標工藝站點確定每個所述工藝站點作為目標工藝站點的次數；將所述次數最大的所述工藝站點確定為所述待檢工藝站點。