[其他]濺射太陽能選擇性吸收涂層及制造方法

無效

• 申請號: 85100142
• 申請日: 1985-04-01
• 公開（公告）號: CN85100142B
• 公開（公告）日: 1987-07-22
• 發明（設計）人: 殷志強
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: F24J2/48
• 分類號: F24J2/48;C23C14/34
• 代理公司: 清華大學專利事務所
• 代理人: 胡蘭芝

1、一種濺射太陽能選擇性吸收涂層，其特征是以沉積的鋁膜為底層，以沉積的鋁-氮（或鋁-碳-氧）復合成分為吸收材料層，該吸收材料層的成分是漸變的。

2、按照權利要求1所說的濺射太陽能選擇性吸收涂層，其特征是底層鋁膜厚度不小于0.1×10^－６m。

3、按照權利要求1或2所說的濺射太陽能選擇性吸收涂層，其特征是吸收材料鋁-氮（或鋁-碳-氧）厚度在0.08×10^－６m至0.25×10^－６m。

4、按照權利要求1所說的濺射太陽能選擇性吸收涂層，其特征是在該涂層上再蓋一層鋁-氧化合物薄膜，其厚度不小于0.04×10^－６m。

5、按照權利要求1所說的濺射太陽能選擇性吸收涂層，其特征是使用的鋁陰極的純度不低于95%。

6、一種制造如權利要求1所說的太陽能選擇性吸收涂層的方法，其特征是在純氬氣中非反應濺射鋁膜以后，于同一濺射室內，注入氬氣與氮氣（或一氧化碳）混合氣體，隨著氮氣（或一氧化碳）的流量逐漸增加，相應沉積的吸收材料厚度增加，氮（或碳、氧）對鋁原子數的比值亦增加，最表面是在純氮（或純一氧化碳）濺射沉積鋁-氮（或鋁-碳-氧）化合物。