[其他]一種間接耦合的硅光敏器件

無效

• 申請號: 85100228
• 申請日: 1985-04-01
• 公開（公告）號: CN85100228B
• 公開（公告）日: 1987-07-15
• 發明（設計）人: 何民才
• 申請（專利權）人: 武漢大學
• 主分類號: H01L31/10
• 分類號: H01L31/10
• 代理公司: 武漢大學專利事務所
• 代理人: 龔茂銘

1、一個由平面工藝制作的間接耦合硅光敏器件，它由受光PN結（11），隔離區（12）和輸出器件區（13）組成。其特征在于所說的受光PN結（11）和輸出器件區（13）被隔離區（12）分子;所說的受光PN結（11）處于開路狀態。

2、按權利要求1所規定的硅光敏器件，其特征在于所說的隔離區（12）的寬度為7-15μm。

3、按權利要求1或2所規定的硅光敏器件，其特征在于所說的輸出器件區（13）中的器件可以是二極管、三極管或達林頓晶體管。