[其他]用工業(yè)純原料氣進(jìn)行等離子化學(xué)氣相沉積的涂層方法與設(shè)備

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 85100378
• 申請日: 1985-04-01
• 公開（公告）號: CN85100378A
• 公開（公告）日: 1986-08-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉天相;于錫裘;何建國
• 申請（專利權(quán)）人: 湖南省機械研究所
• 主分類號: C23C16/30
• 分類號: C23C16/30;C23C16/50
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1、一種輝光放電作用下進(jìn)行化學(xué)氣相沉積制備金屬化合物涂層的方法，其特征在于將工業(yè)純原料氣通入一種等離子化學(xué)氣相沉積設(shè)備，與至少一種金屬鹵化物蒸汽一道輸進(jìn)設(shè)備的離子轟擊爐，在溫度400～650℃、真空度10～10^-2mmHg、電壓400～1000V以及工件不旋轉(zhuǎn)的條件下進(jìn)行等離子化學(xué)氣相沉積(PCVD)，在工件表面獲得金屬化合物涂層的方法。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征為在制備金屬化合物涂層時，用工業(yè)純H₂、工業(yè)純Ar和工業(yè)純的活性反應(yīng)氣體作原料氣。

3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于制備金屬氮化物涂層時，可用工業(yè)純NH₃和工業(yè)純Ar作原料氣。

4、根據(jù)權(quán)利要求1、2、3所述的方法，其特征在于輸進(jìn)離子轟擊爐的H₂占5～45%，Ar占55～95%。

5、本發(fā)明使用的等離子化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于由原料氣處理系統(tǒng)、金屬鹵化物或其它液體汽化的裝置以及離子轟擊爐各部份所組成。

6、根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于其中原料氣處理系統(tǒng)，視需沉積的金屬化合物種類和原料氣來源，可以包括工業(yè)純NH₃分解干燥系統(tǒng)、工業(yè)純Ar凈化系統(tǒng)、工業(yè)純H₂凈化系統(tǒng)和工業(yè)純的活性反應(yīng)氣體凈化系統(tǒng)四者都有的系統(tǒng)，也可以是由后三者組合的系統(tǒng)，還可以是只由前二者組合的系統(tǒng)。

7、根據(jù)權(quán)利要求5和6所述的原料氣處理系統(tǒng)，其特征在于其中NH₃分解干燥系統(tǒng)是一種可以將殘NH₃降至0.01%以下的由NH₃分解爐與硅膠分子篩吸附塔組成的系統(tǒng)。

8、根據(jù)權(quán)利要求5和6所述的原料氣處理系統(tǒng)，其特征在于其中工業(yè)純Ar、工業(yè)純H₂、工業(yè)純活性反應(yīng)氣體凈化系統(tǒng)，是能分別將其水份和殘O₂降至0.01%以下的硅膠、分子篩、鈀篩吸附塔組成的系統(tǒng)。

9、根據(jù)權(quán)利要求5所述等離子化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于其中金屬鹵化物或其它液體汽化的裝置是至少能將一種金屬鹵化物或其他液體進(jìn)行恒溫汽化的汽化瓶和恒溫浴。

10、根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于其中離子轟擊爐是經(jīng)過改進(jìn)的包括真空室、堿吸收阱、油封式真空泵、水環(huán)式真空泵和離子電源所組成的離子氮化爐。

11、根據(jù)權(quán)利要求5和10所述的等離子化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于真空室內(nèi)壁涂以耐熱抗蝕涂料。

12、根據(jù)權(quán)利要求5和10所述的等離子化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于真空室內(nèi)設(shè)有包圍工件并兼作陽極的供氣噴咀。