[其他]臺面型半導體器件的制造方法無效
| 申請號： | 85100501 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN85100501A | 公開（公告）日： | 1986-08-13 |
| 發明（設計）人： | 何德湛;陳益清;胡順帆;何啟丁;嚴光華;徐元森 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海冶金研究所;上海無線電29廠 |
| 主分類號： | H01L21/302 | 分類號： | H01L21/302;H01L29/72 |
| 代理公司： | 中國科學院上海專利事務所 | 代理人： | 季良赳 |
| 地址： | 上海市長寧*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 臺面 半導體器件 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1、本發明屬于半導體器件臺面的制造方法，其特征是使用金剛砂輪刀開槽在有半導體器件圖形的基片上形成臺面。
2、按權利要求1所說的開槽形成臺面的方法，其特征是所開的槽與p-n結界面接近垂直。
3、按權利要求1或2所說的開槽形成臺面的方法，其特征是所開的槽在管芯四周形成井字形結構。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
