[其他]半導體發光器件的反射腔及其工藝無效
| 申請號： | 85100503 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN85100503A | 公開（公告）日： | 1986-09-17 |
| 發明（設計）人： | 孫體忠 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海冶金研究所 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中國科學院上海專利事務所 | 代理人： | 季良赳 |
| 地址： | 上海市長寧*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 發光 器件 反射 及其 工藝 | ||
【權利要求書】：
1、一種半導體發光器件的反射腔的制作工藝，其特征是在硅單晶片上生長腐蝕保護層后經光刻、腐蝕，鍍上反光層而形成的。
2、按權利要求1所說的反射腔的制作方法，其特征是所用的硅片為〈100〉晶向，光刻窗孔為方形或長方形，且其一邊與〈110〉晶向平行。
3、按權利要求1或2所說的反射腔制作方法，其特征是反光鍍層采用金、銀或鋁。
4、一種半導體發光器件的反射腔，其特征是以硅片為基體，以四個Si的（111）面為棱錐體側面，以Si的（100）面為底面構成的各種正方形或長方形凹槽，鍍以反光鍍層所組成。
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