[其他]制備半導體化合物薄膜的射頻濺射法

無效

• 申請號: 85100504
• 申請日: 1985-04-01
• 公開（公告）號: CN85100504A
• 公開（公告）日: 1986-08-13
• 發明（設計）人: 黎錫強
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海冶金研究所
• 主分類號: H01L21/203
• 分類號: H01L21/203
• 代理公司: 中國科學院上海專利事務所
• 代理人: 季良赳

1、一種制備有高蒸汽壓組分的Ⅲ-Ⅴ族半導體化合物薄膜的射頻濺射方法，其特征是使用所要制造的半導體化合物碎料或大塊錠和少量高蒸氣壓組分的五族元素材料一起作為濺射靶。

2、按權利要求1所述的射頻濺射方法，其特征是濺射靶置于濺射室的下方，襯底置于濺射靶上方。

3、按權利要求1或2所述的射頻濺射方法，其特征是用合成磷化銦和少量紅磷作為濺射靶，襯底使用定向的GaA₃單晶片，磷化銦單晶片，蘭寶石或光學玻璃等。

4、按權利要求3所述的在磷化銦、砷化鎵單晶片上濺射沉積磷化銦單晶薄膜的方法，其特征在于對<100>晶向的磷化銦與砷化鎵襯底及<311>晶向的砷化鎵襯底，襯底溫度為280～350℃范圍，對<111>晶向的磷化銦及砷化鎵襯底及<110>晶向的砷化鎵襯底則維持襯底溫度在290～335℃范圍內。