[其他]非線性磁場單晶硅拉制方法及其裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 85100591 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN1003380B | 公開（公告）日： | 1989-02-22 |
| 發(fā)明（設計）人： | 周士仁;孔慶茂;紀彥蜀;高元愷;王守雨;韓長林;付澤國 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱工業(yè)大學 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 哈爾濱工業(yè)大學專利事務所 | 代理人： | 黃錦陽 |
| 地址： | 黑龍江省哈*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 非線性 磁場 單晶硅 拉制 方法 及其 裝置 | ||
【權利要求書】：
1、一種在非線性磁場中拉制單晶Si的方法，其特征在于該非線性磁場由兩組不同直徑的螺旋管組產生的磁場疊加而形成，兩個螺旋管組由升降系統(tǒng)支撐，在該磁場中拉晶時，將裝有熔硅的坩堝置于螺旋管組內，調整升降系統(tǒng)使螺旋管組相對于坩堝運動，使坩堝分別置于疊加磁場的線性區(qū)域和非線性區(qū)域，調整程序應保證磁力線方向與熔硅熱對流的運動軌跡始終接近于正交。
2、一種實施權利要求1所述方法的單晶爐包括升降系統(tǒng)磁環(huán)，螺旋管組，冷卻器，保溫罩，加熱體，堝托，坩堝，內爐壁，上下端蓋，銜鐵，其特征在于螺旋管組〔4〕和螺旋管組〔5〕，具有不同的內徑，每個螺旋組由分立繞組組成，繞組之間由冷卻器〔6〕相隔，銜鐵〔20〕做成爐壁形狀，將螺旋管組〔4、5〕罩在其中，銜鐵〔20〕與上下端蓋〔18、19〕和磁環(huán)〔3〕構成一封閉磁回路，銜鐵〔20〕上開有觀察孔〔11〕，內爐壁〔17〕上開有觀察孔〔9、10〕。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于哈爾濱工業(yè)大學，未經哈爾濱工業(yè)大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://m.szxzyx.cn/pat/books/85100591/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
