[其他]能隙差穩(wěn)壓電源

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 85100723
• 申請日: 1985-04-01
• 公開（公告）號: CN85100723A
• 公開（公告）日: 1986-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張開遜
• 申請（專利權(quán)）人: 張開遜
• 主分類號: G05F1/614
• 分類號: G05F1/614
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1、一種采用電子學(xué)方法獲得的能隙差穩(wěn)壓電源，由半導(dǎo)體器件構(gòu)成，其特征在于采用置于同一溫度場中的兩種p-n結(jié)或兩種肖特基二極管正向電壓之差作為電源的輸出，所說的兩種p-n結(jié)各自由絕對零度禁帶寬度值不同的半導(dǎo)體材料構(gòu)成，所說的兩種肖特基二極管各自具有不同的勢壘高度。

2、如權(quán)利要求1所述，分別調(diào)節(jié)所說的兩種p-n結(jié)或所說的兩種肖特基二極管的正向電流，使所說的兩種p-n結(jié)正向電壓溫度系數(shù)相差在10%以內(nèi)，或使所說的兩種肖特基二極管正向電壓溫度系數(shù)相差在10%以內(nèi)。

3、如權(quán)利要求2所述，分別向所說的兩種p-n結(jié)或兩種肖特基二極管輸入與T^b成正比或與其相差在10%以內(nèi)的正向電流（其中T為絕對溫度，b為無量綱指數(shù)，對p-n結(jié)0≤b＜6，對肖特基二極管0≤b＜4）。

4、如權(quán)利要求1所述，所說的穩(wěn)壓電源由一個正向?qū)ǖ膒-n結(jié)和另一個與其禁帶寬度值不同的正向?qū)ǖ膒-n結(jié)構(gòu)成，或分別由M（M是任何大于1的正整數(shù)）個上述p-n結(jié)串聯(lián)構(gòu)成，或由一個正向?qū)ǖ男ぬ鼗O管和另一個與其勢壘高度不同的正向?qū)ǖ男ぬ鼗O管構(gòu)成，或分別由M個上述肖特基二極管串聯(lián)構(gòu)成。

5、如權(quán)利要求1或2所述，所說的兩種正向?qū)ǖ膒-n結(jié)或兩種肖特基二極管正向電壓分別經(jīng)過增益相同的線性電路處理之后構(gòu)成穩(wěn)壓電源。

6、如權(quán)利要求1或2所述，分別調(diào)節(jié)所說的兩種p-n結(jié)或兩種肖特基二極管正向電流，使其具有不相同的正向電壓溫度系數(shù)，獲得電壓溫度系數(shù)可以連續(xù)變化、正負溫度系數(shù)可以選擇的線性溫度漂移特性電壓源。

7、如權(quán)利要求1所述，分別采用GaAs??p-n結(jié)和Ga-As-P??p-n結(jié)構(gòu)成所說的穩(wěn)壓電源，連續(xù)改變Ga-As-P材料中P和As的配比使其禁帶寬度值連續(xù)變化，使所說的穩(wěn)壓電源的輸出電壓值連續(xù)改變。

8、如權(quán)利要求1所述，分別采用Si??p-n結(jié)和GaAs??p-n結(jié)或Si??p-n結(jié)和P、As配比可以改變的Ga-As-P??p-n結(jié)構(gòu)成所說的穩(wěn)壓電源。

9、如權(quán)利要求1所述，所說的穩(wěn)壓電源做成集成電路。

10、如權(quán)利要求1所述，所說的置于相同溫場中的兩種p-n結(jié)或兩種肖特基二極管燒結(jié)、粘貼、鑲嵌在同一塊基片上，或用其他導(dǎo)熱介質(zhì)包復(fù)、聯(lián)結(jié)在一起，或置入金屬物體內(nèi)腔或浸泡在液體介質(zhì)中。