[其他]制備單晶硅片表面完整層的新途徑

無效

• 申請號: 85100856
• 申請日: 1985-04-01
• 公開（公告）號: CN85100856A
• 公開（公告）日: 1986-07-02
• 發明（設計）人: 陳燕生;馬紀東;劉桂榮
• 申請（專利權）人: 北京鋼鐵學院
• 主分類號: C30B27/00
• 分類號: C30B27/00;C30B33/00
• 代理公司: 北京鋼鐵學院專利代理事務所
• 代理人: 劉建民

1、一種表面具有完整層，體內微缺陷高度彌散的單晶硅片，其特征在于微缺陷是氫沉淀。

2、如權利要求1所述的單晶硅片，其制備方法是將國標一級多晶硅在氫氣氛下經過一次區熔，二次成晶，并可采用后冷或常規工藝，其特征在于實施使電阻率由500～1000歐姆。厘米降至5～15歐姆·厘米的中子輻照，中照后的單晶硅經切、磨、拋后，在空氣或氮氣氣氛下進行200～500℃，0.5～2小時低溫處理和700～900℃，0.5～4小時的高溫熱處理。

3、如權利要求1所述的單晶硅片，其制備方法是將國標一級多晶硅在氫氣氛下，經過一次區熔，二次成晶，晶體拉斷后，不降功率保溫5～30分鐘的后熱處理，其特征在于實施使電阻率由500～1000歐姆·厘米降至5～15歐姆·厘米的中子輻照，切、磨、拋后將硅片在空氣或氮氣氛下進行200～500℃，0.5～2小時低溫處理和700～900℃，0.5～4小時的高溫處理。

4、如權利要求2或3所述的方法，其硅片熱處理的特征是先低溫后高溫的二步熱處理。

5、如權利要求2所述的方法，其硅片熱處理的特征是先高溫后低溫的二步熱處理。

6、如權利要求3所述的方法，其特征在于先實行高溫后實行低溫的二步熱處理。

7、如權利要求5或6所述的方法，其特征在于實行溫度為700～1000℃，保溫時間為0.5～2小時的第三次熱處理。

8、如權利要求2、3、5或6所述的方法，其特征在于低溫熱處理溫度為400～450℃，時間為0.5～1小時，高溫熱處理溫度為800～850℃，時間為1～2小時。

9、如權利要求4所述的方法，其特征在于低溫熱處理溫度為400～450℃，時間為0.5～1小時，高溫熱處理溫度為800～850℃，時間為1～2小時。

10、如權利要求6所述的方法，其特征在于高溫熱處理溫度為850℃，時間為2小時，低溫為450℃，時間為30分鐘。