[其他]具有控制電極的半導體器件

無效

• 申請號: 85101390
• 申請日: 1985-04-01
• 公開（公告）號: CN85101390B
• 公開（公告）日: 1988-02-17
• 發明（設計）人: 八尾勉;長野隆洋;及川三郎;佐藤行正;木村新;福井宏
• 申請（專利權）人: 株式會社日立制作所
• 主分類號: H01L29/74
• 分類號: H01L29/74
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 劉暉,趙越

1、具有一種結構的半導體器件，在半導體基片（1，101）的一對主表面之間至少包括三層半導體，上述幾層半導體中相鄰的半導體層的導電類型彼此不同，上述幾層半導體中的第一層至少由一個具有一定寬度的條狀區域（20，120）形成，上述幾層半導體中的第二層（30，130）與上述半導體基片的第一主表面相連通，同時與上述條狀區域相通，第一主電極（2，102）與上述第一主表面上的條狀區域保持歐姆接觸，第一和第二控制電極在上述條狀區域兩側上沿其長度方向側與上述第二層半導體（30，130）保持歐姆接觸，第二主電極（4，104）與上述半導體基片的第二主表面保持歐姆接觸;

其特點在于：上述第一控制電極（3a，103a）制作在上述條狀區域（20，120）沿其長度方向的一側上，并直接與上述半導體器件的控制端（6，106）相連接，上述第二控制電極（3b，103b）制作在上述條狀區域沿其長度方向的另一側上，并僅通過上述第一控制電極和第一控制電極與第二控制電極之間的上述第二層半導體的電阻R與控制端相連接，且上述半導體基片（1，101）具有加速偏置的機構，當流過半導體基片的電流被關斷的時候，用來將導電區迅速地偏置到第二控制電極側。

2、根據權利要求1的半導體器件，其中上述加速偏置的機構是用來增加內阻的，該內阻是指除了上述條狀半導體區和第三層半導體（10，110）之間的區域中存在于上述第一控制電極和第二控制電極之間的部分之外，還有由上述第二層半導體的其余部分構成的電阻。

3、根據權利要求2的半導體器件，其中用來增加該內阻的上述機構是一個擴散區（21、22;121、122），它是在條狀區域沿其長度方向的兩端之外的第二層半導體上形成的，并具有與條狀區域相同的導電類型。

4、根據權利要求2所述的半導體器件，其中用來增加上述內阻的方法是個溝槽（31、32），該溝槽制作在上述條狀區域沿其長度方向的兩端之外的第二層半導體上。

5、根據權利要求2所述的半導體器件，其中用來增加上述內阻的方法是個切去部分（1a、1b），它是在上述條狀區域沿其長度方向的兩端之外的第二層半導體和第三層半導體上形成的切去部分。

6、根據權利要求2所述的半導體器件，其中用來增加上述內阻的方法是使上述第二層半導體和第三層半導體之間形成的PN結在上述條狀區域沿其長度方向之外與第一主表面連通并使該PN結位于上述條狀區域和上述第二層半導體之間形成的另一個PN結的最鄰近處。

7、根據權利要求1所述的半導體器件，其中上述半導體基片包括一個第四層半導體（50），這第四層半導體（50）鄰近上述第三層半導體，其導電類型與第三層半導體不同，具有與上述第三層半導體相同導電類型的高摻雜濃度的短路區（50）是在第四層半導體中從上述第二主表面向上述第三層半導體伸延的，并在上述第二主表面上與上述第二主電極保持歐姆接觸，上述第一短路區是在一個突出面上形成的，該突出面制作在第二主表面的條狀區域上。第二和第三短路區域是在上述條狀區域沿其寬度方向的一端和另一端上分別形成的，第二短路區的平行于上述第二主表面的橫截面，大于第三短路區的橫截面，以使條狀區域沿其寬度方向上一端的載流子量小于該條狀區域另一端的載流子量。

8、如權利要求1所述的半導體器件，其中存在上述條狀區域與上述第三層半導體之間的第二層半導體部分，其厚度是在所述條狀區域沿其寬度方向上一端的厚度大于另一端的厚度。

9、根據權利要求1所述的半導體器件，其中上述條狀區域沿其寬度方向上的一端（a），就其雜質濃度而言，a端的雜質濃度比條狀區域另一端（b）的雜質濃度低。

10、根據權利要求1所述的半導體器件，其中在上述半導體基片上載流子復合中心只是在條狀區域沿其寬度方向的一端上形成的。