[其他]基片偏壓發生電路

無效

• 申請號: 85101845
• 申請日: 1985-04-01
• 公開（公告）號: CN1003756B
• 公開（公告）日: 1989-03-29
• 發明（設計）人: 范生堂·安德利安魯斯·得恩尼斯
• 申請（專利權）人: 菲利蒲光燈制造公司
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 李先春

1、一為另一電路產生一偏置電壓的集成電路，所述兩電路均集成在半導體基片上，所述集成電路包括有一產生控制脈沖的振蕩器和至少一充電泵，由控制脈沖得來的電脈沖被加到所述充電泵上，所述充電泵由一電容和一二極管串聯組成，所述電脈沖被加到所述電容的第一極上，所述電容的第二極連接到與該電容相連的二極管上，所述充電泵的一輸出端連接到基片和所述電容的結點上，所述充電泵的二極管經過一絕緣柵開關三極管的通道被連接到所述集成電路的接地點上，所述絕緣柵三極管的柵極被連接到一接收控制脈沖的控制電路上，其特征在于：所述開關三極管至少要與另外的一開關三極管串聯連接，所述另外開關管的絕緣控制極接受所述充電泵送來的所述電脈沖，所述控制脈沖由所述控制電路倒相后被加到第一個提到的所述開關三極管的控制極上，當給所述控制電路加上一控制脈沖時所述控制電路就將所述第一個提到的開關三極管的控制極和它的主電極（源極）相互連接在一起。

2、一如權利要求1所述的電路，其特征在于：所述電容是由一與所述二極管相連的絕緣柵三極管構成的，脈沖被加到這兩個互相連接的主電極上。

3、一如權利要求2所述的電路，其特征在于：所述電容是由一P導電型的三極管形成的。

4、一如權利要求1，2或3所述的電路，其特征在于：所述二極管是由一連接成二極管用的三極管構成，所述三極管與所述第一個提到的以及所述集成電路中的其它開關三極管一樣是N導電型。

5、一如權利要求1，2或3所述的電路，其特征在于：所述控制電路為一倒相放大器，所述放大器的一N型輸出三極管的一溝道將所述控制極與所述第一個提到的開關三極管的主電極相聯。

6、一如權利要求5所述的電路，其特征在于：所述倒相放大器還包括一P導電型三極管，所述三極管的溝道被接到所述第一個提到的開關三極管的控制極上和電源端上，所述倒相放大器的P溝道和N溝道三極管的控制極都被接到所述振蕩器的一第一輸出端上，所述振蕩器是一個環形振蕩器，由奇數個倒相放大器組成，所述倒相放大器由互補的絕緣柵三極管組成，所述電脈沖借助于單互補放大器把控制脈沖倒相形成的。

7、一如權利要求1，2，3，4，5和6中任一權利要求所述的電路，其特征在于：還有一個由一個電容和一個二極管串聯組成的充電泵，所述電容與二極管的結點連到所述第一個提到的充電泵的輸出端，在所述充電泵中所述控制脈沖被加到所述電容上，而所述第二個充電泵的輸出端被連接到所述基片上。

8、一如權利要求1，2，3，4，5，6和7中任一權利要求所述的電路，其特征在于：所述電路至少部分是在一個P型半導體基片上的一個N阱（或N型槽區）上形成的。

9、一如權利要求8所述的電路，其特征在于：所述電路包括有低阻記憶單元和N溝道導電型三極管組成的存貯單元。