[其他]對模糊現(xiàn)象不敏感的圖象傳感器及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 85101868
• 申請日: 1985-04-01
• 公開（公告）號: CN85101868B
• 公開（公告）日: 1988-08-10
• 發(fā)明（設計）人: 鮑德金斯
• 申請（專利權）人: 菲利普光燈制造廠
• 主分類號: H01L29/76
• 分類號: H01L29/76;H01L21/02
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 許新根

1、圖象傳感器是由第一導電型半導體襯底組成，襯底上有許多第一導電型連接表面的溝道區(qū)域，這些溝道區(qū)與襯底表面上的電極系統(tǒng)相垂直，工作時，在溝道區(qū)域中收集和傳輸電荷，這些溝道區(qū)由第二導電型連接表面的溝道隔離區(qū)相互分開，并且進一步和相對表面平行延伸的第二導電型半導體區(qū)相連接，其特征是：溝道區(qū)摻雜濃度超過半導體區(qū)的摻雜濃度，而半導體區(qū)本身的摻雜濃度又超過半導體襯底的摻雜濃度，半導體區(qū)的厚度沿溝道區(qū)垂直方向變化，在溝道中心達到最小值。

2、根據(jù)權利要求1所述的圖象傳感器，其特征是：在溝道區(qū)的中心斷開半導體區(qū)，并在此切槽。

3、根據(jù)權利要求2中所述的圖象傳感器，其特征是：槽在與溝道區(qū)相垂直的方向的尺寸大于半導體區(qū)厚度的二分之一，并正好沿溝道隔離區(qū)的旁邊測得。

4、根據(jù)權利要求1、2或3中所述的圖象傳感器，其特征是：溝道隔離區(qū)在其垂直方向的尺寸小于溝道區(qū)厚度的4倍，并正好沿溝道隔離區(qū)的旁邊測得。

5、一種制造本發(fā)明的圖象傳感器的方法，其特征是：

在由第一導電型半導體襯底上通過具有以固定相對中心距離延伸的窗口的第一次掩模進行擴散雜質的方法來提供第二導電型區(qū)，然后通過以同樣固定相對中心距離延伸的窗口的第二次掩模來提供構成溝道區(qū)的第一導電型區(qū)，第二次掩模安排成使得溝道區(qū)在第二導電型區(qū)之間的一半處形成。

6、根據(jù)權利要求5所述的方法，其特征是：

進行兩次擴散，以使第二導電型區(qū)彼此不接觸，并由第一導電型區(qū)將其分開。