[其他]提高絕緣子耐污性能的方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 85102198 | 申請(qǐng)日: | 1985-04-01 |
| 公開(公告)號(hào): | CN85102198B | 公開(公告)日: | 1987-08-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 顧樂(lè)觀;孫才新;周上祺;羅啟泉;唐炬 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 重慶大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01B17/50 | 分類號(hào): | H01B17/50;H01B19/04 |
| 代理公司: | 重慶大學(xué)專利事務(wù)所 | 代理人: | 詹珍珍,胡正順 |
| 地址: | 四川省重*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 提高 絕緣子 性能 方法 | ||
本發(fā)明屬于提高瓷絕緣子和鋼化玻璃絕緣子耐 污性能的處理方法。
絕緣子的污穢閃絡(luò)常常造成長(zhǎng)時(shí)間、大面積的停 電事故。為了提高電力系統(tǒng)的供電可靠性,通常采用 定期清掃(清洗)、加強(qiáng)絕緣以及使用憎水性涂料等措 施來(lái)作為防污對(duì)策。其缺點(diǎn)是,有的措施工作量和勞 動(dòng)強(qiáng)度大,有的不夠經(jīng)濟(jì),采用憎水性涂料則主要是 容易老化變質(zhì)、有效使用期不長(zhǎng)(3~12個(gè)月),因而 上述措施的應(yīng)用均受到一定限制。為此,長(zhǎng)期以來(lái)國(guó) 內(nèi)外都在尋求簡(jiǎn)單易行、效果顯著的防污方法。從查 閱的專利、文獻(xiàn)看,大都是研究帶電水沖洗,研制防污 型絕緣子(包括半導(dǎo)體釉絕緣子)以及改進(jìn)涂料組分 以延長(zhǎng)涂層的使用壽命。其中僅日本專利 JA46-10253(1973)是在玻璃絕緣子的制造過(guò)程 中,采用在未熔融變型程度的高溫下加熱之后,在玻 璃絕緣子的全部表面進(jìn)行吹風(fēng)時(shí)也吹霧,在冷卻到 200~300℃時(shí),將二甲基氯硅烷蒸汽作用于玻璃絕 緣子的全部表面,把急冷鋼化處理和防水處理結(jié)合成 一道工序作為特征的處理方法。其缺點(diǎn)是僅局限于 制造廠對(duì)玻璃絕緣子進(jìn)行熱處理,而運(yùn)行部門不能采 用;吹噴二甲基氯硅烷工藝復(fù)雜,造成處理劑浪費(fèi);由 于表面處理后不清除處理劑,不僅使絕緣子在運(yùn)行中 容易老化變質(zhì)、結(jié)殼、影響使用壽命,還使絕緣子表面 粘滑,不便拆裝。
針對(duì)上述缺點(diǎn),本發(fā)明提出一種簡(jiǎn)單易行、使絕 緣子耐污性能大為提高的處理方法。
本發(fā)明的依據(jù)是,供給一定活化能可以使硅氧烷 鍵斷裂而與玻璃態(tài)(瓷表面的釉層也屬玻璃態(tài))表面 化學(xué)反應(yīng)或化學(xué)吸附,形成憎水膜的原理。本發(fā)明的 要點(diǎn)是在清潔的鋼化玻璃(或瓷)絕緣子表面涂覆含 有5~10%乙醇或四氯化碳的二甲基硅油溶液處理 劑,然后從放電、紅外照射,紅外和紫外聯(lián)合照射、高 溫烘箱處理這四種工藝中任選一種對(duì)絕緣子進(jìn)行表 面處理,最后清除處理劑,即在絕緣子表面得到一層 極薄的、憎水性很強(qiáng)的生成膜。該生成膜經(jīng)過(guò)可溶 性、破壞性化學(xué)試驗(yàn),快速人工老化和近三年的自然 老化試驗(yàn),證明其性能未劣化。
本發(fā)明完成絕緣子表面處理方法的工藝步驟如 下:
I、對(duì)沒(méi)有油污的絕緣子,將附著物除去后用自 來(lái)水沖洗干凈,擦去(或吹、烘干)水跡;對(duì)有油污的絕 緣子、先用汽油、甲苯等有機(jī)溶劑去掉油污,再用自來(lái) 水沖洗干凈,擦去水跡,然后在鋼化玻璃(或瓷)絕緣 子表面噴上一層薄而均勻的含有5~10%乙醇或 四氯化碳的二甲基硅油溶液處理劑;如果不是大批量 生產(chǎn),可用油漆刷在絕緣子表面涂刷含有 5~10%乙醇或四氯化碳的二甲基硅油溶液處理 劑。例如,使用的處理劑內(nèi)可以含有5%的乙醇或 四氯化碳。將涂覆過(guò)處理劑的絕緣子懸掛在處理架 上,再?gòu)南旅嫠膫€(gè)處理工藝中任選一個(gè)對(duì)絕緣子進(jìn)行 表面處理。
A、放電處理。在絕緣子上、下表面均勻地噴自 來(lái)水霧,同時(shí)進(jìn)行5~30次工頻放電,放電電壓由零 均勻地升壓至放電電壓。例如,工頻放電的次數(shù)可 以是10次。
B、紅外照射處理。將紅外箱內(nèi)的溫度逐漸升到 158~300℃,保持0.5~1小時(shí),然后自然冷卻到 室溫。例如,可逐漸升溫到170℃,保持1小時(shí)或逐 漸升溫到200℃,保持0.5小時(shí)。
C、紅外和紫外聯(lián)合照射處理。在紫外燈與紅外 燈的瓦數(shù)比為1/20~1/10的處理箱內(nèi),讓溫度逐 漸升到170~300℃,保持0.5~1小時(shí),然后自然 冷卻到室溫。例如,可采用紫外燈與紅外燈的瓦數(shù) 比為1/10,逐漸升溫到170℃,保持1小時(shí)。
D、高溫烘箱處理。將高溫烘箱內(nèi)的溫度逐漸 升到160~300℃,保持0.5~1.5小時(shí),然后自然 冷卻到室溫。例如,可逐漸升溫到170℃,保持1小 時(shí)。
待絕緣子表面處理完,即用氫氧化鈉溶液或乙醇 將其表面附著的處理劑洗去。
II、向絕緣子表面噴自來(lái)水霧,如果絕緣子表面 出現(xiàn)分立的水珠為合格,否則重復(fù)工藝步驟I的全過(guò) 程,直至合格。最后對(duì)絕緣子進(jìn)行抽樣工頻清潔霧閃 試驗(yàn),當(dāng)工頻清潔霧閃電壓接近工頻干閃電壓時(shí),表 明全部處理符合要求。
本發(fā)明對(duì)氣壓、溫度等環(huán)境條件無(wú)特殊要求,在 一般工作條件下實(shí)施工藝步驟I和II即可。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于重慶大學(xué),未經(jīng)重慶大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://m.szxzyx.cn/pat/books/85102198/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 一種數(shù)據(jù)庫(kù)讀寫分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





