[其他]多滑環(huán)式同步發(fā)電機(jī)的勵(lì)磁裝置

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 85102365
• 申請(qǐng)日: 1985-04-01
• 公開（公告）號(hào): CN85102365A
• 公開（公告）日: 1986-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李朗如;馬志云;潘垣;黃河
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華中工學(xué)院;中國科學(xué)院等離子物理研究所
• 主分類號(hào): H02K19/26
• 分類號(hào): H02K19/26
• 代理公司: 華中工學(xué)院專利代理事務(wù)所
• 代理人: 楊為國,方放

本發(fā)明屬于同步發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)與提供轉(zhuǎn)子勵(lì)磁的可控硅勵(lì)磁方法和裝置。

目前，帶滑環(huán)式同步發(fā)電機(jī)的勵(lì)磁方法均采用兩個(gè)滑環(huán)結(jié)構(gòu)，由一臺(tái)換向器式直流發(fā)電機(jī)或一臺(tái)靜止的晶閘管變流裝置供電。當(dāng)發(fā)電機(jī)的單機(jī)容量很大和輸電距離很遠(yuǎn)，要求獲得高頂值勵(lì)磁電壓及快速響應(yīng)性的勵(lì)磁系統(tǒng)時(shí)，此種勵(lì)磁方案有如下缺點(diǎn)：

1.可靠性差。為了提高可靠性必須增加一臺(tái)同容量的勵(lì)磁裝置作為儲(chǔ)備容量，這樣勢(shì)必增加投資。

2.轉(zhuǎn)子絕緣水平要求高。如目前巨型水輪發(fā)電機(jī)的頂值勵(lì)磁電壓倍數(shù)達(dá)正常勵(lì)磁電壓的4至5倍，相應(yīng)地必須提高轉(zhuǎn)子勵(lì)磁回路對(duì)地絕緣水平。

3.晶閘管變流裝置的過度深控。由于頂值勵(lì)磁電壓倍數(shù)高，致使發(fā)電機(jī)正常運(yùn)行時(shí)變流裝置的控制角必須增大而過度深控。

本發(fā)明針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提出一種四滑環(huán)式同步發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)及其勵(lì)磁方法和裝置，以解決可靠性差、轉(zhuǎn)子絕緣水平要求高以及勵(lì)磁變流裝置過度深控等方面的問題。

附圖為四滑環(huán)式同步發(fā)電機(jī)勵(lì)磁裝置的原理接線圖。

同步發(fā)電機(jī)（2）的勵(lì)磁繞組（10）分為相同的兩半，分別接到兩對(duì)滑環(huán)（9）上，這樣要求發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子上有四個(gè)滑環(huán)，由四組電刷引入勵(lì)磁電流。勵(lì)磁繞組經(jīng)四個(gè)滑環(huán)、四個(gè)相同的分壓電阻（3）與接地電阻（11）接地。勵(lì)磁繞組的快速滅磁與過電壓保護(hù)是通過無觸點(diǎn)開關(guān)（4）與非線性電阻（8）構(gòu)成的電路而實(shí)現(xiàn)。兩臺(tái)容量相同的勵(lì)磁用晶閘管變流裝置1（7）和晶閘管變流裝置2（12）通過開關(guān)（5）和兩組滑環(huán)（9）與勵(lì)磁繞組（10）串聯(lián)連接。變流裝置1（7）與晶閘管1（6）并聯(lián)連接，變流裝置2（12）與晶閘管2（13）并聯(lián)，兩套變流裝置經(jīng)過三繞組變壓器（1）從發(fā)電機(jī)的出線端獲得交流電壓，因此是自并勵(lì)接線方式，發(fā)電機(jī)正常運(yùn)行時(shí)，只投入一臺(tái)晶閘管變流裝置，如晶閘管變流裝置1（7）供給勵(lì)磁，此時(shí)晶閘管1（6）開斷，晶閘管2（13）導(dǎo)通，另一臺(tái)晶閘管變流裝置2（12）處于備用狀態(tài)。一旦強(qiáng)勵(lì)需要時(shí)，晶閘管變流裝置2（12）可即時(shí)投入使用，同時(shí)晶閘管2（13）開斷。

本發(fā)明所說的勵(lì)磁方法與兩滑環(huán)式同步發(fā)電機(jī)的勵(lì)磁方法相比，有如下優(yōu)點(diǎn)：

1.在頂值勵(lì)磁電壓倍數(shù)相同時(shí)，可降低轉(zhuǎn)子勵(lì)磁回路的對(duì)地絕緣水平。這樣，對(duì)于巨型同步發(fā)電機(jī)的設(shè)計(jì)可以通過提高勵(lì)磁電壓來增大勵(lì)磁容量，從而避免了因過份增大勵(lì)磁電流而帶來的技術(shù)困難。

2.提高了勵(lì)磁系統(tǒng)的可靠性而又不要求增加勵(lì)磁裝置的儲(chǔ)備容量。

3.避免了晶閘管變流裝置的過度深控。

4.在不提高勵(lì)磁回路絕緣水平的條件下，可以提高滅磁反電勢(shì)，從而大大縮短滅磁時(shí)間，有利于實(shí)現(xiàn)快速滅磁。

5.滅磁開關(guān)可分成兩臺(tái)，單臺(tái)容量不致過大。