[其他]高能級磁控濺射離子鍍技術(shù)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 85102600
• 申請日: 1985-04-01
• 公開（公告）號: CN85102600B
• 公開（公告）日: 1988-02-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳寶清;朱英臣;王玉魁;王斐杰
• 申請（專利權(quán)）人: 大連工學(xué)院
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34
• 代理公司: 大連工學(xué)院專利事務(wù)所
• 代理人: 修德金

1、一種用于在金屬基工件上鍍覆金屬的高能級磁控濺射離子鍍工藝，包括：

（1）將工件（8）置于真空室（1）中

（2）將真空室的真空度調(diào)至1.33×10^-2帕斯卡

（3）向真空室充氬氣，使真空度達(dá)到2.67×10^-1帕斯卡

（4）接通濺射電源（5），使濺射靶的工作電壓為600伏，工作電流為15安培

其特征在于

在濺射過程中利用一個適合于磁控濺射條件下工作的負(fù)高壓電源（9）對工件（8）加偏壓，實(shí)現(xiàn)離子鍍工藝。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其特征在于所施加的負(fù)偏壓為1000～2500伏，鍍覆時(shí)間為3～30分鐘。

3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的工藝，其中所說的金屬基工件是鋼鐵基工件，所鍍的金屬包括鋁、銅、鈦、鉻、鎳、釩、鉬、鎢、鋅、鈮、鋯。

4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其特征在于所施加的負(fù)偏壓為750～2500伏，鍍覆時(shí)間為3～30分鐘。

5、根據(jù)權(quán)利要求4所述的工藝，其中所說的金屬基工件是有色金屬基工件，所鍍的金屬包括鋁、鈦、鉻、鎳、鋅、銅。

6、根據(jù)權(quán)利要求3或5所述的工藝，其特征在于多個靶位同時(shí)工作，所形成的鍍層是合金層。

7、根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其特征在于分階段調(diào)節(jié)所施加的偏壓。

8、根據(jù)權(quán)利要求7所述的工藝，其特征在于

第一階段負(fù)偏壓為1000～2500伏，鍍覆時(shí)間3～10分鐘。

第二階段負(fù)偏壓為300～700伏，鍍覆時(shí)間3～10分鐘。

第三階段負(fù)偏壓力為0伏，鍍覆時(shí)間5～20分鐘。

9、根據(jù)權(quán)利要求8所述的工藝，其中所說的金屬基工件包括鋼鐵基工件、鎳基工件，所鍍的金屬包括鋁、鎳、鉻、鈦、銅、銀、金、銅合金和不銹鋼。

10、根據(jù)權(quán)利要求9所述的工藝，其特征在于一個靶位單獨(dú)工作，形成的鍍膜是單層膜。

11、根據(jù)權(quán)利要求9所述的工藝，其特征在于多個靶位輪換工作，形成的鍍膜是多層膜。

12、根據(jù)權(quán)利要求7所述的工藝，其特征在于

第一階段負(fù)偏壓為1000～2000伏，鍍覆時(shí)間3～10分鐘。

第二階段負(fù)偏壓為300～500伏，鍍覆時(shí)間3～10分鐘。

第三階段負(fù)偏壓為0伏，鍍覆時(shí)間5～20分鐘。

13、根據(jù)權(quán)利要求12所述的工藝，其中所說的金屬基工件是鋼鐵基工件，所鍍的金屬是鋅和鋅合金。

14、根據(jù)權(quán)利要求7所述的工藝，其特征在于

第一階段負(fù)偏壓為1000～2000伏，鍍覆時(shí)間3～10分鐘

第二階段負(fù)偏壓為300～700伏，鍍覆時(shí)間3～10分鐘

第三階段負(fù)偏壓為0伏，鍍覆時(shí)間5～20分鐘。

15、根據(jù)權(quán)利要求14所述的工藝，其中所說的金屬基工件是有色金屬基工件，所鍍的金屬是鈦、鉻、鎳、銅、鋁、銀、金和不銹鋼。

16、一種用于在金屬基工件上鍍金屬的高能級磁控濺射離子鍍裝置，包括真空容器（1）、永久磁鐵（2）、陽極（3）、濺射靶（4）、濺射電源（5）、抽氣系統(tǒng)（6）、氬氣充氣（7）、基底（工件）（8）、輔助陽極（11）、柵極（12）、柵極負(fù)高壓電源（13）和柵極加熱電源（14），其特征在于裝置有一個適合于磁控濺射條件下工作的直流負(fù)高壓電源（9）作為工件的離子鍍電源。