[其他]利用封閉邊界產(chǎn)生靜電四極場的結(jié)構(gòu)無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 85102774 | 申請日: | 1985-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN85102774B | 公開(公告)日: | 1987-11-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 華中一;王陽;范承善;谷超豪 | 申請(專利權(quán))人: | 復(fù)旦大學(xué) |
| 主分類號: | H01J49/42 | 分類號: | H01J49/42;G01N27/62 |
| 代理公司: | 上海專利事務(wù)所 | 代理人: | 須一平 |
| 地址: | 上海市邯鄲*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 利用 封閉 邊界 產(chǎn)生 靜電 四極場 結(jié)構(gòu) | ||
1、一種產(chǎn)生靜電四極場的結(jié)構(gòu),其中有四個金屬電極,其特征是該結(jié)構(gòu)的邊界為封閉的,邊界由均勻厚度或厚度呈連續(xù)變化的高阻材料及電極構(gòu)成,邊界上的電位隨位置作連續(xù)變化。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電四極場結(jié)構(gòu),其特征是邊界材料截面的內(nèi)表面為圓形,邊界材料截面的厚度呈連續(xù)變化,邊界材料的外表面為四個象限對稱,上述圓形內(nèi)表面上的電位隨位置按cos2θ的規(guī)律作連續(xù)變化。
3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電四極場結(jié)構(gòu),其特征是邊界為正方形,邊界由均勻厚度的高阻材料或薄膜構(gòu)成,上述正方形的四條邊上的電位分別隨位置作線性變化。
4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電四極場結(jié)構(gòu),其特征是邊界為矩形,上述邊界由均勻厚度的高阻材料或薄膜構(gòu)成,上述矩形的四條邊上的電位分別隨位置作線性變化,在垂直于Z軸的X、Y平面內(nèi),上述結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的等電位線為非正交的雙曲線族。
5、根據(jù)權(quán)利要求3所述的靜電四極場結(jié)構(gòu),其特征是邊界為正方形,邊界由直角導(dǎo)體板上放置一塊涂有均勻厚度的高阻薄膜的直角絕緣體組成,上述正方形邊界上只有一個電極,電極設(shè)在上述薄膜的彎角處。
6、根據(jù)權(quán)利要求3所述的邊界為正方形的靜電四極場結(jié)構(gòu),其特征是由一個以上上述正方形邊界結(jié)構(gòu)組成的陣列式靜電四極場。
7、根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列式靜電四極場,其特征是用高氧化鋁瓷或微晶玻璃作本體,構(gòu)成按某種圖形排列的正方形,用蒸發(fā)或濺射方法涂敷一層均勻厚度的高阻薄膜,再分別加上電極,構(gòu)成陣列式靜電四極場。
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