[其他]分子篩合成物無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 85103199 | 申請(qǐng)日： | 1985-04-25 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN85103199A | 公開（公告）日： | 1986-10-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 弗拉尼金;布倫特;佩頓;威爾遜 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 聯(lián)合碳化公司 |
| 主分類號(hào)： | B01J27/14 | 分類號(hào)： | B01J27/14;B01J29/02;C01B15/16;B01D15/08;C10G65/12 |
| 代理公司： | 中國(guó)專利代理有限公司 | 代理人： | 羅宏,劉元金 |
| 地址： | 美國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 分子篩 合成物 | ||
1、具有MO2，AlO2和PO2四面體單元的三維微孔骨架結(jié)構(gòu)的結(jié)晶分子篩，其經(jīng)驗(yàn)化學(xué)組成(干基)可用于下式表達(dá)：
mR∶(MxAlyPz)O2
式中“R”表示至少一種存在于結(jié)晶內(nèi)孔系統(tǒng)中的有機(jī)模板劑；“m”表示每個(gè)摩爾(MxAlyPz)O2所具有的R的摩爾數(shù)，其值為0-0.3；“M”表示選自包括砷、鈹、硼、鉻、鎵、鍺、鋰和釩一組中的至少一個(gè)元素；“x”、“y”和“z”分別表示作為四面體氧化物形式存在的“M”、鋁和磷的摩爾份額。上述摩爾份額位于圖1中A、B、C、D和E點(diǎn)所確定的五邊形組成區(qū)域內(nèi)。
2、按照權(quán)利要求1中的分子篩，其中作為四面體氧化物形式存在的“M”、鋁和磷的摩爾份額，位于圖2中的a、b、c、d、e和f點(diǎn)所確定的六邊形組成區(qū)域內(nèi)。
3、權(quán)利要求1中的結(jié)晶分子篩，其中“M”是砷。
4、權(quán)利要求1中的結(jié)晶分子篩，其中“M”是鈹。
5、權(quán)利要求1中的結(jié)晶分子篩，其中的“M”是硼。
6、權(quán)利要求1中的結(jié)晶分子篩，其中的“M”是鉻。
7、權(quán)利要求1中的結(jié)晶分子篩，其中的“M”是鎵。
8、權(quán)利要求1中的結(jié)晶分子篩，其中的“M”是鋰。
9、權(quán)利要求1中的結(jié)晶分子篩，其中的“M”是釩。
10、權(quán)利要求1或2中具有下列特征的結(jié)晶分子篩，其X射線粉末衍射譜圖中，至少含有的晶面間距-d示于表A。
11、權(quán)利要求1或2中具有下列特征的結(jié)晶分子篩，其X射線粉末衍射譜圖中，至少含有的晶面間距-d示于表B。
12、權(quán)利要求1或2中具有下列特征的結(jié)晶分子篩，其X射線粉末衍射譜圖中，至少含有的晶面間距-d示于表C。
13、權(quán)利要求1或2中具有下列特征的結(jié)晶分子篩，其X射線粉末衍射譜圖中，至少含有的晶面間距-d示于表D。
14、權(quán)利要求1或2中具有下列特征的結(jié)晶分子篩，其X射線粉末衍射譜圖中，至少含有的晶面間距-d示于表E。
15、權(quán)利要求1或2中具有下列特征的結(jié)晶分子篩，其X射線粉末衍射譜圖中，至少含有的晶面間距-d示于表F。
16、權(quán)利要求1或2中具有下列特征的結(jié)晶分子篩，其X射線粉末衍射譜圖中，至少含有的晶面間距-d示于表G。
17、權(quán)利要求1或2中具有下列特征的結(jié)晶分子篩，其X射線粉末衍射譜圖中，至少含有的晶面間距-d示于表H。
18、權(quán)利要求1或2中具有下列特征的結(jié)晶分子篩，其X射線粉末衍射譜圖中，至少含有的晶面間距-d示于表J。
19、權(quán)利要求1或2中具有下列特征的結(jié)晶分子篩，其X射線粉末衍射譜圖中，至少含有的晶面間距-d示于表K。
20、權(quán)利要求1或2中具有下列特征的結(jié)晶分子篩，其X射線粉末末射譜圖中，至少含有的晶面間距-d示于表L。
21、權(quán)利要求1或2中具有下列特征的結(jié)晶分子篩，其X射線粉末衍射譜圖中，至少含有的晶面間距-d示于表M。
22、權(quán)利要求1或2中具有下列特征的結(jié)晶分子篩，其X射線粉末衍射譜圖中，至少含有的晶面間距-d示于表N。
23、權(quán)利要求1或2中具有下列特征的結(jié)晶分子篩，其X射線粉末衍射譜圖中，至少含有的晶面間距-d示于表O。
24、權(quán)利要求1或2中具有下列特征的結(jié)晶分子篩，其X射線粉末衍射譜圖中，至少含有的晶面間距-d示于表P。
25、權(quán)利要求1或2中具有下列特征的結(jié)晶分子篩，其X射線粉末衍射譜圖中，至少含有的晶面間距-d示于表Q。
26、權(quán)利要求1或2中具有下列特征的結(jié)晶分子篩，其X射線粉末衍射譜圖中，至少含有的晶面間距-d示于表R。
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