[其他]半導體裝置的導線材料無效

申請號：	85103501	申請日：	1985-05-03
公開（公告）號：	CN1003065B	公開（公告）日：	1989-01-11
發明（設計）人：	官藤元久;松井隆;田英和	申請（專利權）人：	株式會社神戶制鋼所
主分類號：	H01L21/60	分類號：	H01L21/60;H01L23/48;C22C5/02
代理公司：	中國專利代理有限公司	代理人：	羅宏,劉元金
地址：	日本兵庫縣神戶***	國省代碼：	暫無信息
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摘要：
搜索關鍵詞：	半導體裝置導線材料
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【權利要求書】：

1、一種用于半導體裝置的導線材料，其特征在于按重量計包括Ni0.4至4.0%、Si0.1至1.0%、Zn0.05至1.0%、Mn0.01至1.0%、Mg0.001至0.01%以下、Cr0.001至0.01%以下，S最多可達0.003%，余下的是Cu和不可避免的雜質，該導線材料還包括高達5ppm的氫及高達5ppm的氧。

2、根據權利要求1的導線材料，其中S大致上是以MgS的形式存在。

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