[其他]在材料(例如半導體材料)中加工亞微型槽的方法以及用這種方法制成的器件

無效

• 申請號: 85103535
• 申請日: 1985-05-06
• 公開（公告）號: CN85103535B
• 公開（公告）日: 1988-08-10
• 發明（設計）人: 阿佩爾斯;馬斯
• 申請（專利權）人: 菲利浦光燈制造公司
• 主分類號: H01L21/302
• 分類號: H01L21/302;H01L21/31;H01G4/06
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 李先春

1、在充分均勻的第一材料層上形成至少一個窄溝槽的方法，其中的溝槽寬度由自對準方式決定，本方法的特征在于，在襯底區的主表面上提供一個第一掩模層，該掩模層至少有一個窗口或凹槽，至少在窗口區處以及在鄰接的掩模層上面涂上一層充分均勻的第一材料，該材料層在窗口區處有一個凹槽，同時在第一材料層的上面接著覆蓋一層充分均勻的第二掩模材料層以及充分均勻的第一轉化層，在第一掩模層的初始窗口內的第二掩模層和第一轉化層里保留一個凹槽，對第一可轉化材料層進行有選擇的轉化處理從而生成中間掩模，用這種方法至少沿著第二掩模材料層凹槽的內沿形成一個窗口，此后用在第二掩模材料層里形成的掩模，在第一材料層中得到溝槽，所述對第一可轉化材料層進行有選擇的轉化處理，包括該第一可轉化層被一層充分均勻的第三層掩模材料所覆蓋，將該層進行有選擇的腐蝕處理，使得至少沿第一可轉化層里凹槽的內沿的第三掩模層被保留下來，它能保護第一可轉化層不被轉化。

2、按照權利要求1中所述方法，其特征在于，第一可轉化層由多晶半導體材料組成，用離子注入的方法將除了沿凹槽內邊緣部分外的第一可轉化層材料全部轉化成高濃度摻雜的半導體材料，這部分半導體材料在腐蝕原始半導體材料步驟中實際上不受腐蝕的作用。

3、按照權利要求1中所述方法，其特征在于，第三掩模層由氧化硅組成。

4、按照權利要求2中所述方法，其特征在于，多晶半導體材料起擴散源的作用，用來供對窗口內的半導體材料摻雜用。

5、按照權利要求2中所述方法，其特征在于，第一可轉化層包含有半導體材料，通過硅化處理，除這層材料除沿凹槽內緣外，全部被轉化成硅化物，在半導體材料腐蝕過程中，這種硅化物不受腐蝕。

6、按照權利要求5中所述方法，其特征在于生成鉑的硅化合物。

7、按照權利要求2中所述方法，其特征在于，第一可轉化層由半導體材料組成，通過局部氧化的方法，這層材料至少沿凹槽的內沿部分被轉化成氧化物，將被氧化部分除去，剩下的半導體材料則構成中間掩模。

8、按照權利要求7中所述方法的特征在于在第一可轉化層上面覆蓋有充分均勻的抗氧化材料層和第二可轉化層，在第一掩模層原來窗口的區域內上述各層保留有凹槽，對第二可轉化層進行選擇性轉化，得到輔助掩模，用這種方法在抗氧化材料中確定一氧化掩模。

9、在充分均勻的第一材料上至少產生一個窄溝槽，而窄溝槽的寬度由自對準方式確定，這種方法的特征在于：

在襯底區的主表面上生成有第一掩模層，該層至少有一個窗口，這個器件至少在窗口的區域內以及相鄰掩模層的上面覆蓋有充分均勻的第一材料層，該材料層在窗口區域內有一個凹陷，在第一材料層上面覆蓋著充分均勻的第二掩模材料層，該層在第一掩模層原始窗口的區域內保有一個凹陷，而且第二掩模層發生選擇性的轉化，在至少沿第二掩模層凹陷的內沿抗腐蝕能力比第二掩模層其余部分差的同時，因此去掉抗腐蝕能力差的部分材料后，得到一個掩模，用這樣的方法在第一材料層中形成了溝槽，所述第二掩模層發生選擇性的轉化包括第二掩模層被充分均勻的第三掩模材料層所覆蓋，這層材料經過選擇性腐蝕處理，使得至少沿著第二掩模層凹槽內沿的地方仍保留第三掩模層。剩下的第三掩模層可保護第二掩模層不致進行選擇性的轉化。

10、按照權利要求9所述方法，其特征在于，第二掩模層用氮化硅組成，對它的表面進行選擇性地離子注入，注入之后將在腐蝕處理之前，將氮化硅進行加熱處理，結果注入離子部分抗腐蝕能力變得比未注入的部分強。

11、按照權利要求9所述方法，其特征在于，為了在下鄰襯底區中得到一個窄溝槽，要繼續進行腐蝕處理。

12、按照權利要求11所述方法，其特征在于，襯底區是半導體區，而溝槽的全部或部分被氧化物填滿。

13、按照權利要求11所述方法，其特征在于，通過將被腐蝕的層與等離子體相接觸，來進行腐蝕處理，以生成溝槽。

14、按照所述有關制造半導體體的權利要求9所述方法，其特征在于，第一材料由半導體材料組成，而第一掩模材料由防止半導體氧化的材料組成，在溝槽已經腐蝕到這個表面之后，將在凹槽外部抗氧化的材料除去，而半導體材料在這樣的距離上面被氧化，使得溝槽大部分均填滿了氧化物。