[其他]絕緣層上多晶硅的激光加熱再結(jié)晶方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 85103942
• 申請(qǐng)日: 1985-05-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN85103942B
• 公開(kāi)（公告）日: 1988-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林成魯;鄒世昌;沈宗雍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院上海冶金所
• 主分類號(hào): H01L21/268
• 分類號(hào): H01L21/268;H01L21/428
• 代理公司: 中國(guó)科學(xué)院上海專利事務(wù)所
• 代理人: 季良赳

1、一種激光加熱再結(jié)晶制備SOI材料的方法，它使用連續(xù)氬離子激光束掃描加熱位于SiO₂夾層中的多晶硅使之再結(jié)晶，其特征在于：在激光加熱之前形成單晶硅-熱氧化SiO₂-多晶硅-化學(xué)氣相淀積SiO₂夾層結(jié)構(gòu)，其中熱氧化SiO₂，多晶硅及化學(xué)氣相淀積SiO₂層的厚度分別為：0.1～1μm，0.5～0.8μm及0.5～1.5μm。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征是，所采用的氬離子激光器功率為6-10W，光斑直徑40-80μm，樣品置于x、y兩維自動(dòng)掃描的工作臺(tái)上，x方向掃描速度2-10cm/秒，y方向每次步進(jìn)使相鄰的掃描線重迭50%，用一般加熱方法使整個(gè)樣品在再結(jié)晶過(guò)程中保持在250-550℃，激光輻照加熱時(shí)局部多晶Si層的溫度為1415-1600℃。