[其他]具有倒臺面支承結構的銦鎵砷磷/銦磷隱埋條形質量輸運激光器

無效

• 申請號: 85104180
• 申請日: 1985-05-29
• 公開（公告）號: CN85104180A
• 公開（公告）日: 1986-11-26
• 發明（設計）人: 陳倜榮
• 申請（專利權）人: 成都電訊工程學院
• 主分類號: H01S3/18
• 分類號: H01S3/18
• 代理公司: 成都電訊工程學院專利代理室
• 代理人: 馬新民

1、一種銦鎵砷磷/銦磷隱埋條形質量輸運激光器，它在InP導電襯底上依次生長有InP限制層、非故意摻雜InGaAsP有源層InP限制層，并通過InP質量輸運形成完全隱埋結構，其特征是，在三層外延層上還生長有一接觸頂層，在接觸頂層上淀積Si₃N₄或其它適當掩模層，通過光刻及選擇性腐蝕沿011方向形成上寬下窄的倒臺面支承結構。

2、一種銦鎵砷磷/銦磷隱埋條形質量輸運激光器，它在InP導電襯底上生長InP限制層、非故意摻雜InGaAsP有源層、InP限制層并通過InP質量輸運形成完全隱埋結構，其特征是，在外延層上淀積Si₃N₄或其它適當掩模層，通過光刻及選擇性腐蝕沿011方向形成上寬下窄的倒臺面支承結構。

3、按權利要求1個所述的激光器，其特征是，所述的接觸頂層為重摻雜InGaAsP接觸頂層。

4、按權利要求3所述的激光器，其特征是，所述的InGaAsP接觸頂層，其厚度比有源層厚，相應的輻射波長比有源層短。

5、按權利要求1或2所述的激光器，其特征是，所述倒臺面支承結構其頂部寬3～15μm，底部相應寬1～12μm，兩側溝槽頂部各寬1～15μm。

6、按權利要求5所述的激光器，其特征是，所述倒臺面支承結構其頂部寬8～12μm，底部相應寬3～8μm，兩側溝槽頂部各寬2～4μm。

7、權利要求1所述的激光器，其特征是，在n型導電襯底上依次生長n型限制層、有源層、P型限制層、P型接觸頂層。

8、按權利要求1所述的激光器，其特征是，在n型導電襯底上依次生長n型限制層、有源層、P型限制層、n型接觸頂層，并有P擴散區。

9、按權利要求1所述的激光器，其特征是在P型導電襯底上依次生長P型限制層、有源層、n型限制層、n型接觸頂層。

10、按權利要求2所述的激光器，其特征是，在n型導電襯底上依次生長n型限制層、有源層、P型限制層。

11、按權利要求2所述的激光器，其特征是，在P型導電襯底上依次生長P型限制層、有源層、n型限制層。

12、按權利要求1或2所述的激光器，其特征是，所述有源層可以用兩個InGaAsP四元層代替，其一是厚度為0.05～0.2μm的有源層、其二是厚度為0.3～2μm的導波層，導波層的相應輻射波長小于其一的有源層的輻射波長。