[其他]用于噴流加速式離子投射成像系統(tǒng)的打印頭

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 85105105
• 申請(qǐng)日: 1985-07-04
• 公開（公告）號(hào): CN85105105A
• 公開（公告）日: 1986-12-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 盛千屯;湯普森
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 施樂公司
• 主分類號(hào): G03G15/044
• 分類號(hào): G03G15/044;G03G15/02
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 李先春

1、一種將靜電荷按照影象圖案移至電荷的接收板表面的噴流加速式電印制設(shè)備，包括傳輸流體源以及具有流體的上游為離子產(chǎn)生區(qū)域、下游為離子調(diào)制區(qū)域的工作室，所述工作室包括引入裝置和引出裝置，引入裝置從所述流體源中接收傳輸流體，設(shè)置所述上游離子產(chǎn)生區(qū)和位于所述離子調(diào)制區(qū)離子調(diào)制裝置，引出裝置使傳輸流體離開所述工作室，所述離子調(diào)制裝置的特征在于包括：

電荷貯存設(shè)備，安裝在所述離子調(diào)制區(qū)域內(nèi)所述傳輸流體經(jīng)過的通道附近，用來控制離開所述工作室的離子的通過，所述電荷貯存裝置又分為若干部分；

充電設(shè)備，用來將與所述影象圖案的所述對(duì)應(yīng)部分充至預(yù)定的電壓；

有順序、有選擇地將給定區(qū)域的所述存貯電荷設(shè)備耦合到所述充電設(shè)備上的裝置，將未選中的部分脫離開所述充電設(shè)備的裝置，從而在耦合期間所述存貯電荷設(shè)備在給定區(qū)域被充至預(yù)定電位，在隔離期間則保持預(yù)定電位不變，以控制離開所述工作室的離子流過；

所述電荷貯存設(shè)備、所述充電設(shè)備和所述順序選擇耦合裝置被集成做在同一塊襯底上。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所定義的噴流加速式電印設(shè)備，其特征在于所述電荷存貯裝置包括一個(gè)可導(dǎo)電的電極陣列。

3、根據(jù)權(quán)利要求1所定義的噴流加速式電印設(shè)備，其特征在于所述電荷存貯裝置包括一個(gè)電容器陣列，所述電容器陣列橫跨于所述引出通道裝置上，所述引出通道裝置包括位于其一側(cè)的一個(gè)導(dǎo)電電極陣列。

4、根據(jù)權(quán)利要求2所定義的噴流加速式電印設(shè)備，其特征在于所述順序選擇耦合裝置，包括一個(gè)開關(guān)陣列，所述開關(guān)陣列與所述電極陣列數(shù)量相等并與所述電極陣列饋聯(lián)，還包括若干地址總線，所述地址總線與所述開關(guān)陣列饋聯(lián)，使所述開關(guān)陣列和所述電極陣列分為所述若干部分。

5、根據(jù)權(quán)利要求2所定義的噴流加速式電印設(shè)備，其特征在于包括N個(gè)電極，所述電極分為P組，每組有q個(gè)電極，所述充電裝置包括q根數(shù)據(jù)總線，所述順序選擇耦合裝置包括N個(gè)開關(guān)，所述開關(guān)分為P組，每組q個(gè)開關(guān)，其中每個(gè)開關(guān)都與一個(gè)電極相連，還包括P根地址總線，每根都與電極相連并且控制一個(gè)開關(guān)組。

6、根據(jù)權(quán)利要求5定義的噴流加速式電印設(shè)備，其特征在于所述開關(guān)是一些非晶硅薄膜晶體管。

7、根據(jù)權(quán)利要求6所定義的噴流加速式電印設(shè)備，其特征在于所述地址總線與所述薄膜晶體管的柵極相連，所述電極與所述數(shù)據(jù)總線分別與所述薄膜晶體管的源極與漏極連接。

8、根據(jù)權(quán)利要求1所定義的噴流加速式電印設(shè)備，其特征在于所述順序選擇耦合裝置包括薄膜有源器件。

9、根據(jù)權(quán)利要求8所定義的噴流加速式電印設(shè)備，其特征在于所述薄膜有源器件包括一些非晶硅晶體管。

10、根據(jù)權(quán)利要求1所定義的噴流加速式電印設(shè)備，其特征在于所述順序選擇耦合裝置包括若干非晶硅薄膜晶體管開關(guān)。

11、利用分為幾組的電荷貯存元件陣列，將靜電荷按照影象圖案置于電荷接收板表面的印制過程，其特征在于所述過程是時(shí)間復(fù)用的，每一行的掃描時(shí)間包括下列步驟：

對(duì)作為所述行掃描時(shí)間之一部分的第一段時(shí)間里，同時(shí)有順序地對(duì)所述電極陣列的一個(gè)組尋址;

在所述第一段時(shí)間內(nèi)將預(yù)定電壓按照影象圖案順序地加到所述地址部分的所述存貯電荷元件上;

對(duì)作為所述行掃描時(shí)間之余下部分的第二段時(shí)間內(nèi)，通過電荷貯存元件來控制靜電荷移至電荷接收板表面;

對(duì)隨后各行重復(fù)以上步驟順序。

12、根據(jù)權(quán)利要求11所定義的印制過程，其特征在于所述行掃描時(shí)間指的是從對(duì)某一區(qū)域?qū)ぶ返较乱淮卧賹?duì)此區(qū)域?qū)ぶ分g的時(shí)間間隔。

13、根據(jù)權(quán)利要求12所定義的印制過程，其特征在于所述第二段時(shí)間遠(yuǎn)大于所述第一段時(shí)間。

14、根據(jù)權(quán)利要求11所定義的印制過程，其特征在于所述行掃描時(shí)間包括對(duì)所述陣列中每一個(gè)存貯電荷元件尋址所用的時(shí)間。

15、根據(jù)權(quán)利要求11所定義的印制過程，其特征在于還包括下列步驟：

在工作室中產(chǎn)生大量的靜電荷;

傳輸這些靜電荷，并使這些靜電荷通過和排出工作室;

使這些靜電荷從電荷存貯元件的行陣列附近通過;

控制這些靜電荷移動(dòng)的步驟包括：或者允許這些靜電負(fù)排出工作室并沉積在電荷接收板表面，或者禁止這些靜電荷排出工作室。