[其他]氧化物電阻無效
| 申請號: | 85105495 | 申請日: | 1985-07-18 |
| 公開(公告)號: | CN85105495A | 公開(公告)日: | 1987-01-21 |
| 發明(設計)人: | 山崎武夫;荻原覺;小杉哲夫;白川晉吾;大和田伸一 | 申請(專利權)人: | 株式會社日立制作所 |
| 主分類號: | H01C8/00 | 分類號: | H01C8/00;H01C7/02 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人: | 劉暉 |
| 地址: | 日本東京都千*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氧化物 電阻 | ||
1、一種復合燒結的氧化物電阻,其中包含鋅氧化物晶體顆粒和鋅氧化物與非鋅的其他金屬或半金屬元素化合物的晶體顆粒,以及在單個的晶體顆粒之間存在電阻等于或小于鋅化物晶體顆粒的晶粒邊界層。
2、按照權利要求1所述的復合燒結氧化物電阻,其中在單個晶體顆粒之間的晶粒邊界層具有等于鋅氧化物晶體顆粒的電阻值。
3、按照權利要求1所述的復合燒結氧化物電阻,其中在單個的晶體顆粒之間相應于晶粒邊界層的部位上存在空隙。
4、按照權利要求1所述的復合燒結氧化物電阻,其中的金屬或半金屬是鈦、硅、銻、鋯或錫。
5、按照權利要求1所述的復合燒結氧化物電阻,其中氧化鋅化合物有下列化學式:
Zn2TiO4,Zn2SiO4,Zn7Sb2O12,Zn2ZrO4或Zn2SnO4。
6、按照權利要求1所述的復合燒結氧化物電阻,其中氧化鋅化合物的晶體顆粒具有200歐姆-3×1013歐姆的大于氧化鋅晶體顆粒的電阻。
7、一種復合燒結的氧化物電阻,包含鋅化物晶體顆粒和電阻為200歐姆-3×1013歐姆的晶體顆粒,遠離具有電阻比鋅氧化物晶體顆粒電阻大的晶粒邊界層,且為在兩端表面上具有電極的板狀形狀。
8、一種復合燒結的氧化物電阻,包含做為主要成分的鋅氧化物和做為次要成分的非鋅氧化物的其它氧化物,在20°-500℃下電阻-溫度系數為5×10-4歐姆/℃- -5×10-4歐姆/℃,在20℃下電阻率為100-4000歐姆,耐受操作過電壓的能力為500-800焦耳/毫升,在3×103-80安培/厘米2下的電壓非線性系數為1.0-1.3。
9、一種復合燒結的氧化物電阻,包含做為主要成分的鋅氧化物,0.1-10%克分子計的鎂氧化物,0.1-20%克分子計的鋁氧化物、鎵氧化物、鑭氧化物和銦氧化物中的至少其中之一種,以及在鋅氧化物晶體顆粒之間形成的比鋅氧化物電阻值低的電阻層。
10、按照權利要求9所述的復合燒結氧化物電阻,其中的電阻包含70-92%克分子計的鋅氧化物,3-10%克分子計的鎂氧化物,以及5-15%克分子計的鋁氧化物。
11、按照權利要求9所述的復合燒結氧化物電阻,其中的電阻包含68-90%克分子計的鋅氧化物,3-10%克分子計的鎂氧化物,5-15%克分子計的鋁氧化物,以及1-2%克分子計的硅氧化物。
12、一種帶氧化物電阻的氣體電路斷路器,包括:一個氧化物電阻是按照權利要求1-11中的任何一項所述的復合燒結的氧化物電阻,具有柱狀或筒狀,并且在除了側表面外的兩端表面上具有電極。
13、按照權利要求12所述的氣體電路斷路器,其中,在電阻的整個側表面上制有一層絕緣玻璃。
14、一種帶氧化物電阻的SF4氣體絕緣中線接地的裝置,包括一個氧化物電阻是按照權利要求1-11中的任例一項所述的復合燒結氧化物電阻,具有柱狀或筒狀,并且在除了側表面外的兩端表面上具有電極。
15、按照權利要求14所述的氣體絕緣中線接地的裝置,其中電極是在內部位置上形成的,而不是在周圍側表面上。
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