[其他]化合物半導體平面結型器件歐姆接觸的制備方法無效
| 申請號： | 85105699 | 申請日： | 1985-07-19 |
| 公開（公告）號： | CN85105699B | 公開（公告）日： | 1987-02-25 |
| 發明（設計）人： | 吳丁芬;程宗權 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海冶金研究所 |
| 主分類號： | H01L21/283 | 分類號： | H01L21/283;H01L21/24 |
| 代理公司： | 中國科學院上海專利事務所 | 代理人： | 季良赳 |
| 地址： | 上海市長寧*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 化合物 半導體 平面 器件 歐姆 接觸 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1、一種在GaInAs或InP平面結型器件的N型和P型層上用同一材料一次蒸發與合金化形成歐姆接觸的方法，其特征在于：歐姆接觸的合金材料是不含Ni的Au-Ge合金，AuGe合金的Ge含量為1-2wt%。
2、如權利要求1所說的形成歐姆接觸的方法，其特征在于平面結型器件是GaInAs為有源層，N區摻雜濃度為1015～1017cm-3，P區摻雜濃度1019～1020cm-3，蒸發AuGe合金，Ge含量為1-2wt%或先蒸發150的Ge，再蒸發2500Au，合金化溫度400-410℃，時間1分鐘。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
