[其他]在印刷電路板上蝕刻銅膜的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 85106153 | 申請日： | 1985-08-15 |
| 公開（公告）號： | CN85106153A | 公開（公告）日： | 1987-03-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 維利·拜爾;雷納·哈斯 | 申請（專利權(quán)）人： | 漢斯·荷爾米勒機(jī)器制造有限公司 |
| 主分類號： | H05K3/06 | 分類號： | H05K3/06 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利代理部 | 代理人： | 陳季壯,羅英銘 |
| 地址： | 聯(lián)邦德國7033赫倫*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 印刷 電路板 蝕刻 方法 | ||
1、在印刷電路板上蝕刻銅膜，同時(shí)從蝕刻液中電解回收銅的工藝，蝕刻液里除[Cu(NH3)4]SO4、NH3和(NH4)2SO4以外，還含有一種催化劑，以提高蝕刻速度，蝕刻液接觸印刷電路板，蝕刻下來的銅用電解法從蝕刻液里析出，由此再生的鹽溶液返回該工藝過程中使用，其特征在于蝕刻液含有溴物質(zhì)作催化劑。
2、根據(jù)權(quán)利要求1的工藝，其特征在于起催化作用的活性溴濃度為0.1～8克/升。
3、根據(jù)權(quán)利要求2的工藝，其特征在于起催化作用的活性溴濃度為1～4克/升。
4、根據(jù)權(quán)利要求1的工藝，其特征在于含有物質(zhì)是一種溴化物。
5、根據(jù)權(quán)利要求4的工藝，其特征在于這種溴化物是NH4Br或CH3CHBrCOBr。
6、根據(jù)權(quán)利要求1的工藝，其特征在于蝕刻液操作溫度為318～328（45～55℃）。
7、根據(jù)權(quán)利要求1的工藝，其特征在于蝕刻液操作的PH值為8.2～9.5，PH值是在溶液溫度為327K（54℃）時(shí)測定。
8、根據(jù)權(quán)利要求1的工藝，其特征在于游離氨的濃度在0.01至1.0克分子/升之間。
9、根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任何一項(xiàng)工藝，其特征在于蝕刻液里Cu濃度為70～120克/升。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于漢斯·荷爾米勒機(jī)器制造有限公司，未經(jīng)漢斯·荷爾米勒機(jī)器制造有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://m.szxzyx.cn/pat/books/85106153/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：復(fù)合式的流體分離膜
- 下一篇：有多個(gè)傳感器的流體噴嘴定位裝置
- 同類專利
- 專利分類
