[其他]半導(dǎo)體器件的制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 85106463
• 申請(qǐng)日: 1985-08-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN85106463B
• 公開(kāi)（公告）日: 1987-07-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 木山精一;今井秀記
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三洋電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L31/18
• 分類(lèi)號(hào): H01L31/18;H01L31/06
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專(zhuān)利代理部
• 代理人: 劉暉

1、一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括下列步驟：

準(zhǔn)備一個(gè)基片;

在上述基片一主表面?zhèn)壬线B續(xù)地形成一層半導(dǎo)體薄膜;

用能量束照射上述半導(dǎo)體薄膜，并去掉被照射部位上的半導(dǎo)體薄膜，從而把上述半導(dǎo)體薄膜分隔成若干個(gè)區(qū)域;其特征在于：上述基片為透光基片，上述能量束為激光束，此激光束是從上述基片的另一主表面?zhèn)日丈涞摹?/p>

2、按照權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于：在形成上述半導(dǎo)體薄膜之前，有一個(gè)在所述透光基片一主表面?zhèn)刃纬赏该麟姌O薄膜并將其分隔成許多區(qū)域的步驟，半導(dǎo)體薄膜在上述透光基片的一主表面?zhèn)壬线B續(xù)延伸，并覆蓋住在形成上述半導(dǎo)體薄膜前所形成的上述各個(gè)透明薄膜電極。

3、按照權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于：在分隔半導(dǎo)體薄膜的步驟之后，有一個(gè)形成背面電極薄膜的步驟，該薄膜連續(xù)地覆蓋住各個(gè)被分隔了的半導(dǎo)體薄膜部位，以及一個(gè)用激光束照射上述背面電極薄膜并去掉該部位上的背面電極薄膜，從而將上述背面電極薄膜分隔成各個(gè)區(qū)域的步驟，在上述分隔背面電極薄膜的步驟中，所用激光束是從上述透光基片的另一主表面?zhèn)日丈涞摹?/p>

4、按照權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于：在形成上述半導(dǎo)體薄膜和上述透明薄膜電極的步驟之間，有一個(gè)在上述各透明薄膜電極將要外露的地方有選擇地形成一絕緣絕熱層的步驟，而上述半導(dǎo)體薄膜形成在上述透光基片的一主表面?zhèn)?，并覆蓋住上述透明電極薄膜和上述絕緣絕熱層。

5、一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括下列步驟：

準(zhǔn)備一透光基片;

在上述透光基片的一主表面?zhèn)刃纬赏该麟姌O薄膜并將其分隔成各個(gè)區(qū)域;

在上述透光基片的一主表面?zhèn)冗B續(xù)形成一層半導(dǎo)體薄膜，覆蓋住上述各個(gè)區(qū)域的透明薄膜電極;

在形成上述半導(dǎo)體薄膜之后立即連續(xù)形成一層背面電極薄膜，覆蓋住上述半導(dǎo)體薄膜;

用激光束照射上述透光基片，去掉被照射部位中的上述半導(dǎo)體薄膜和上述背面電極薄膜，從而將上述半導(dǎo)體薄膜和上述背面電極薄膜分隔成各個(gè)區(qū)域;其特征在于：上述激光束是從上述透光基片的另一主表面?zhèn)日丈涞摹?/p>

6、按照權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于：在各個(gè)區(qū)域中的背面薄膜電極上連續(xù)形成一層連接電極薄膜，覆蓋住外露的透明薄膜電極;用激光束照射上述連接電極薄膜并去掉被照射部位的連接電極薄膜，從而將上述連接電極薄膜分隔成各個(gè)區(qū)域，在分隔上述連接電極薄膜的步驟中所用的激光束是從上述透光基片的另一主表面?zhèn)冗M(jìn)行照射的。

7、按照權(quán)利要求1、3、5和6中任一項(xiàng)所述的制造方法，其特征在于：上述激光束的波長(zhǎng)從0.30微米到0.820微米的范圍內(nèi)進(jìn)行選擇。

8、按照權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于：選擇上述激光束的波長(zhǎng)近似為0.53微米。

9、一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括下列步驟：

準(zhǔn)備一個(gè)透光基片;

在上述透光基片的一主表面?zhèn)刃纬赏该鞅∧る姌O，并將其分隔成各個(gè)區(qū)域;

在上述透光基片的一主表面?zhèn)刃纬梢粚又饕煞蔷Ч杞M成的具有光電轉(zhuǎn)換功能的半導(dǎo)體薄膜;

在上述半導(dǎo)體薄膜上形成一層背面電極薄膜;

用激光束照射上述透光基片，并去掉被照射部位的上述半導(dǎo)體薄膜和背面電極薄膜，從而將上述半導(dǎo)體薄膜和上述背面電極薄膜分隔成各個(gè)區(qū)域;

在上述背面電極薄膜上形成連接電極薄膜;

用激光束照射上述連接電極薄膜，并除去被照射部位中的連接電極薄膜，從而把上述薄膜分隔成各個(gè)區(qū)域;其特征在于：上述各步中所用的激光束是從上述透光基片的另一主表面?zhèn)冗M(jìn)行照射的。

10、一種制造線(xiàn)性光敏元件的方法，其特征在于：把半導(dǎo)體薄膜和電極薄膜分隔成各個(gè)區(qū)域所用的激光束是從上述透光基片的另一主表側(cè)照射的。