[其他]單晶生長裝置

無效

• 申請號: 85106561
• 申請日: 1985-08-31
• 公開（公告）號: CN85106561A
• 公開（公告）日: 1987-03-25
• 發明（設計）人: 松谷欣也
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: C30B15/22
• 分類號: C30B15/22;C30B35/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 李強

1、單晶生長裝置，包括：

盛放單晶材料熔體的容器；

用于加熱上述容器內的熔體的加熱裝置；

單晶拉制器、用于把籽晶的浸入熔體和拉制在熔體的固態一液態界面層中生長的單晶。

用于在熔體中形成磁場的磁場形成裝置其特征在于：

磁場形成裝置在熔體的上部形成第一磁場區域，并在熔體的下部形成第二磁場區域，第一磁場區域具有能阻止熱對流的磁場強度，第二磁場區域具有不阻止熱對流的磁場強度；

磁場調節裝置，用于使磁場的兩個區域之間的界面隨熔體表面下移而下移。

2、根據權利要求1的裝置，其特征在于在所述的磁場形成裝置中即包括一對共軸線圈，還包括激勵裝置，該激勵裝置對上述線圈對進行激勵，以便沿著所述線圈的軸線方向產生出對向的磁通量，從而達到在所述線圈之間施加磁場的目的;在包括上述線圈軸線的平面內磁場具有園形或橢園形的等艘場分布曲線。

3、根據權利要求2的裝置，其特征在于所述的磁場調節裝置包含線圈下降驅動機構，此機構被用于向下移動所述線圈，從而也把第一和第二磁場區域的邊界向下移動到最小高度H₂，在這個高度H₂，可在熔體中發生充分的發生，這就是熔體的表面位置。

4、根據權利要求3的裝置，其特征在于所述磁場調節裝置包含用于調節線圈距離的線圈距離調節機構可減小線圈距離，以減小加至熔體上的磁場強度，直到熔體液面在第一與第二磁場區域界面降低到高度H₂以后降低到適當高度H₃，高度H₃是所提供的第一磁場區域能有效地生長單晶時最低高度。

5、根據權利要求4的裝置，其特征在于所述磁場調節裝置使線圈位置和線圈距離保持恒定，以便在熔體液面降到高度H₃之后，把一個給定的磁場強度加到熔體上。

6、根據權利要求3的裝置，其特征在于所述磁場調節裝置使線圈位置和線圈距離保持恒定，以便在第一與第二磁場區域的界面降到高度H₂之后，把一給定的磁場加到熔體上，此時在熔體中僅出現第一磁場區域。

7、根據權利要求2的裝置，其特征在于所述磁場調節裝置包含改變線圈距離的線圈距離調節機構，隨熔體表面位置的下移，該線圈距離調節機構減小線圈距離，以使第一與第二磁場區域間的界面移至高度H₂。

8、根據權利要求7的裝置，其特征在于所述磁場調節裝置使線圈位置和線圈距離保持恒定，以便在第一與第二磁場區域間的界面下降到高度H₂以后，一個給定的磁場加到熔體上，在這種磁場下熔體中僅出現第一磁場區域。

9、根據權利要求2的裝置，其特征在于所述磁場調節裝置包括改變流過所述線圈的激勵電流的激勵電流調節裝置，對所述磁場調節裝置進行適當的設置，以便交替地改變所述線圈的激勵電流，以便隨熔體表面位置的下移而把第一與第二磁場區域的界面降至高度H₂，高度H₂被定義為在熔體中能有效地發生熱對流的最小高度。

10、根據權利要求9的裝置，其特征在于所述磁場調節裝置使線圈位置和線圈距離保持恒定，以便在第一與第二磁場區域的界面下降到高度H₂以后，把一給定的磁場加到熔體上，在這個磁場下熔體中僅出現第一磁場區域。

11、根據權利要求10的裝置，其特征在于所述磁場形成裝置的所述線圈進行了適當的設置，以使其垂直地伸延，對所述磁場調節裝置進行了適當的設置，以便隨熔體表面位置和下移，增加上線圈的激勵電流并減小流過下線圈的激勵電流，從而向下移動第一與第二磁場區域的界面。

12、根據權利要求2的裝置，其特征在于所述磁場調節裝置包括改變上述線圈匝數的匝數調節裝置，所述線圈之一的匝數不同于所述線圈的另一個的匝數，政從而隨熔體表面位置的下移而使第一與第二磁場區域的界面移至高度H₂，高度H₂被定義在熔體的內部能有效地發生熱對流的最小高度。