[其他]光生伏打器件及其制造方法

無效

• 申請號: 85106598
• 申請日: 1985-08-26
• 公開（公告）號: CN85106598A
• 公開（公告）日: 1987-03-18
• 發明（設計）人: 岸靖雄;谷口裕幸
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/04
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 陳海紅,許新根

1、一種光生伏打器件的制造方法，包括：

第一步，把第一電極薄膜分別布置在基片表面的各個區域里；

第二步，加上一層薄膜型半導體光敏層，它用來形成載體，從而產生電能，還加上第二電極薄膜。使上述半導體光敏層和上述第二電極薄膜延伸復蓋在各相鄰第一電極薄膜上；

第三步，在第二電極薄膜上布置帶孔的掩膜，通過掩膜孔對顯露部分進行腐蝕，從而清除掉上述第二電極薄膜的顯露部分，因此，上述第二電極薄膜被分割成許多區域，而上述半導體光敏層被部分顯露出來；

第四步，通過上述掩膜孔進行腐蝕，將位于上述第二電極薄膜各個間隔區域中半導體光敏層的顯露部分清除掉，從而，使相鄰區域中第一電極薄膜部分顯露出來；

第五步，將上述各個第一電極薄膜的顯露部分與和其相鄰的區域中第二電極薄膜進行電連接；

其進一步特征在于上述的第四步還包括這樣一個步驟：通過使用在上述半導體光敏層腐蝕過程中使用過的掩膜，腐蝕清除掉面向半導體光敏層的第二電極薄膜的接觸面的顯露部分，該顯露部分是由上述對半導體光敏層的腐蝕，從下部蝕空而顯露出來的。

2、根據權利要求1所述的光生伏打器件的制造方法，其特征是：

上述第四個步驟包括這樣一個步驟：把所述掩膜，即形成在基膜一面上的一層較厚的感光式光致抗蝕劑膜，加在上述的第二電極薄膜上。通過腐蝕清除掉位于上述第二電極薄膜間隔區域中的上述半導體光敏層各部分。

3、根據權利要求1所述的光生伏打器件的制造方法，其特征是：

上述第五步包括這樣一個步驟：即形成一個連接電極薄膜，其一端與上述各個第一電極薄膜的顯露部分進行電連接，另一端與另一相鄰區域的第二電極薄膜進行電連接。

4、根據權利要求3所述的光生伏打器件的制造方法，其特征是：

上述形成連接電極薄膜的步驟包括這樣一個步驟：即上述連接電極薄膜的另一端與另一相鄰區域中第二電極薄膜進行電連接，而使該另一端不與所述的另一相鄰區域中的第一電極薄膜相重疊。

5、根據權利要求3所述的光生伏打器件的制造方法，其特征是：

上述第五步包括這樣一個步驟，即采用由耐酸金屬材料形成的連接面，將上述第一電極薄膜的顯露部分與上述的另一相鄰區域中第二電極薄膜進行電連接。

6、根據權利要求1所述的光生伏打器件的制造方法，其特征是：

上述第一步包括這樣一個步驟，即采用透明的氧化電極材料或者鋁來形成上述第一電極薄膜。

7、根據權利要求1所述的光生伏打器件的制造方法，其特征是：

上述第三步包括這樣一個步驟，即采用透明的氧化電極材料或鋁來形成上述第二電極薄膜。

8、一光生伏打器件包括：

一個基片，在上述基片上形成的許多光電轉換單元，每一個單元包括第一電極薄膜，半導體光敏層及第二電極薄膜。還包括使各個相鄰光電轉換單元進行電串聯的連接電極薄膜，在相鄰光電轉換單元的各間隔區域，上述各連接電極薄膜的一端連接在相鄰光電轉換單元之一的第二電極薄膜上，而上述各連接電極薄膜的另一端連接到上述第一電極薄膜上，其進一步特征在于：上述各連接電極薄膜的一端從所述光電轉換單元的第二電極薄膜沿著顯露的半導體光敏層側面向下延伸。而上述各連接電極薄膜的另一端延伸到從另一個相鄰光電轉換單元顯露出來的上述第一電極薄膜的顯露部分，以致與所述第一電極薄膜相連接。

9、根據權利要求8所述的光生伏打器件，其特征是：

上述半導體光敏層的側面，由于過度腐蝕，形成傾斜，而且，各連接電極薄膜形成為沿著上述傾斜側面向下延伸。

10、根據權利要求8所述的光生伏打器件，其特征是：

通過施加能量束，使上述的半導體光敏層側面形成為垂直地向下延伸，而且，使形成的上述連接電極薄膜沿著從上述第二電極薄膜顯露出來的半導體光敏層上部表面，并沿著上述垂直向下延伸的半導體光敏層的側面，向下延伸。

11、根據權利要求8所述的光生伏打器件，其特征是：

上述連接電極薄膜與上述另一個相鄰光電轉換單元的第二電極薄膜進行電連接，而使上述連接電極薄膜的另一端不是位于上述另一相鄰光電轉換單元的第一電極薄膜上面。