[其他]用化學汽相法于浮法玻璃帶底表面上沉積反射膜

無效

• 申請號: 85106614
• 申請日: 1985-08-02
• 公開（公告）號: CN85106614A
• 公開（公告）日: 1987-02-04
• 發明（設計）人: 喬治·埃爾伍德·斯萊特
• 申請（專利權）人: PPG工業公司
• 主分類號: C03C17/09
• 分類號: C03C17/09
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 包冠乾

本發明就總體而論是關于化學汽相沉積法的，但更側重于反射膜的化學汽相沉積工藝。

美國專利3，681，042〔愛德華茲（Edwards）等〕披露了將一種涂料蒸涂到浮法玻璃表面上的工藝：把此種涂料的蒸汽夾帶于一熱的載體氣體流中，而將這樣的氣體載運的涂料導至處于適宜涂層溫度下的，待涂復的浮法玻璃表面上。

美國專利3，850，679〔司波各（Spoko）等〕披露了將一種金屬氧化物涂層沉積到熱玻璃表面上的方法：將載體空氣、汽化的溶劑以及汽化的含金屬之涂層反應料的混合物，通過一噴嘴涂敷到熱的玻璃表面上，此噴嘴的雷諾數超過2500，而噴嘴至玻璃表面的間距至少是噴嘴特征基準尺寸的1.25倍。

美國專利3，852，098〔布洛斯（Bloss）等〕披露了在玻璃基片上涂敷一種含金屬的薄膜之方法：將玻璃加熱并使之與一種氣體混合物接觸，而這種氣體混合物在緊接它與玻璃接觸前，由一種反應的金屬化合物之蒸汽在其溫度下浸透至50%到100%的程度。然后借玻璃把這種氣體混合物加熱到，足以使該金屬化合物在玻璃上沉積成膜層的溫度。

美國專利3，888，649〔西蒙漢（Simhan）〕披露了一種細長的收斂形噴嘴，它的收縮比為6和6以上，其壁部的形狀使貼著它流經此噴嘴的液體，基本上能在噴嘴的整個通道上得到加速。西蒙漢在另一件美國專利（專利號：3，942，469）中則提出了一種壁部具有漸增之曲率半徑的細長式收斂形噴嘴。

美國專利4，130，673〔拉爾金（Larkin）〕披露了，將細剖分的或汽化的丁錫化三氯涂敷到加熱的玻璃制品上，在其表面形成氧化錫的涂層，然后再復涂以通常的潤滑蠟，這樣就減小了玻璃的摩擦系數并改進了它的抗劃痕本領。拉爾金又在美國專利4，144，362中提出了另一種在加熱的玻璃制品上形成氧化錫涂層的方法，這里采用了細剖分的液體的一丁錫化三氯，其中未熱解的反應物被回收作以后的重新使用。

美國專利4，206，252〔戈登（Gordan）〕中描述了這樣一種透明的玻璃窗，它的第一層涂料是紅外反射材料，這上面出現的虹彩現象是借助在玻璃與此涂層間提供一種漸變折射率層而得以顯著減弱的。這項發明還包括了這種窗的制造方法。戈登還在美國專利4，294，193中描述了用于生產上述帶涂層之玻璃的蒸涂設備，在這種帶涂層的玻璃中，玻璃基片與紅外反射涂層之間設有一種膜層，它的折射率沿該膜層的厚度方向從玻璃基片到該紅外反射涂層連續增加。總的說來，該項專利中所描述之設備是適合從氣態反應材料來制備組成漸變的涂層的。

美國專利4，325，988〔瓦格納（Wagner）〕描述了，從一種塵埃大小的顆粒料涂層反應物（最好是采用一種噴射研磨機加工出的此類粒狀料）的煙塵形式，在某種基片表面上生成一種薄膜的方法與設備。美國專利4，344，986〔亨奈利（Henery）〕則披露了一種從粉末狀涂層反應料來沉積涂層的方法，這里，在載體氣體流中形成了紊流。

美國專利4，401，695〔司波各（Spoko）〕披露了從一種粉末涂料反應物的氣流束沉積涂層的方法與設備，其中的載體氣體是在高的體積率和低的壓力條件下供應的。

本發明對于運行中的浮法玻璃帶，提供了一種在其底表面上化學汽相沉積上一種含金屬膜層的方法。所用的涂層設備包括一種輸出涂層反應料蒸汽的槽式噴嘴，此噴嘴鄰近同該設備整體裝配的排氣收集器。這種輸出一排氣的整體系統裝設在玻璃的輸送輥之間。在浮法玻璃帶底表面上以化學汽相法沉積一在可見光譜區有反射性的含金屬膜，把這種膜同在玻璃帶上表面沉積之紅外反射膜相結合是特別有用的。

圖1是說明由輥12輸送玻璃帶10之過程的剖面圖。涂層反應料蒸汽（未示明）通過室25與分配器22，由噴嘴20輸送到玻璃帶10的底表面上。整體連接的一臺排氣裝置30將未沉積的蒸汽排走。

圖2是一個垂直于圖1方向上的圖，表明裝配有分配器22和噴嘴20的兩個相鄰的蒸涂室25的結構。以三個部分來闡明此排氣裝置30，每一部分都有一個與真空裝置相連的出口（未示明）。

圖3是一個剖面圖，示意地說明在浮法生產平板玻璃過程中，在隔板105之下從浮拋用金屬液槽出料端100經一批輥筒12送至退火爐110的情形。裝配有分配器22、噴嘴20和排氣裝置30的兩個相鄰之蒸涂室25則位于兩對輥筒12之間。在玻璃帶10之上方設有兩個涂層器40，將涂層反應料沉積到玻璃帶10的上表面。排氣裝置50則將未沉積的涂層反應料和反應產物排出。