[其他]半導體器件及其制造法

無效

• 申請號: 85107077
• 申請日: 1985-09-24
• 公開（公告）號: CN85107077B
• 公開（公告）日: 1988-01-27
• 發明（設計）人: 馬場博之;松崎隆
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L25/02
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 杜日新

1、半導體器件30，包括有：安裝在引線框架20的焊接區上的半導體芯片22，該引線框架材料選自一組包括銅和銅合金的材料，在所述引線框架20上形成的引線電極25;一端連接于所述半導體芯片焊接區24，另一端連接于所述引線電極25的焊線23;以及密封所述半導體芯片22、所述焊接區24和所述焊線23的樹脂密封材料26，其密封方式使所述引線框架20的一部分及所述引線電極25的一部分通向外部，其特征在于，所述焊線23由鋁構成，在焊線23與所述引線電極25所連接的部分上，反應層60厚度大于等于0.2（微米）。

2、半導體器件30制造法，包括一個步驟，焊線23的一端連接于半導體芯片22的焊接區24，半導體芯片22安裝在引線框架20上，引線框架20是由一組包括銅和銅合金的材料中選出的材料制成，使焊線23的另一端連接于所述引線框架20的引線電極25，其特征在于，鋁制焊線23的另一端焊接在所述焊接區24上，并對該焊接部分進行熱處理，使所述銅或銅合金和鋁所形成的反應層60厚度大于等于0.2（微米）。

3、按照權利要求2所述半導體器件制造法，其特征在于所述熱處理是由加熱器部件40，42夾持所述引線電極進行加熱的。

4、按照權利要求3所述半導體器件制造法，其特征在于所述加熱器的夾持動作是繼續進行的。

5、按照權利要求3所述半導體器件制造法，其特征為在所述加熱器部件40、42加熱過程中，由下方對所述引線框架吹進非氧化氣體。

6、按照權利要求2所述半導體器件制造法，其特征在于所述熱處理為通過氫氣加熱爐進行加熱。

7、按照權利要求2所述半導體器件制造法，其特征在于所述熱處理是用噴燈對遠離所述焊接部分的所述引線電極加熱而進行的。

8、按照權利要求2所述半導體器件制造法，其特征在于熱處理是用電阻焊機加熱所述引線電極25。

9、按照權利要求2所述半導體器件制造法，其特征在于熱處理是用激光輻射加熱所述焊接部分。

10、按照權利要求3所述半導體器件制造法，其特征在于所述加熱器部件40、42的夾持狀態連續保持一段規定時間。

11、按照權利要求5所述半導體器件制造法，其特征在于非氧化氣體是由包括惰性氣體和還原氣體的一類氣體中選擇的。

12、按照權利要求11所述半導體器件制造法，其特征在于惰性氣體是從包括氮、氬和氦的一類氣體中選擇的，所述還原氣體是氫。