[其他]二維電子氣發(fā)射極半導(dǎo)體器件

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 85107336
• 申請日: 1985-10-03
• 公開（公告）號: CN85107336A
• 公開（公告）日: 1987-05-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱恩均
• 申請（專利權(quán)）人: 南京電子器件研究所
• 主分類號: H01L29/70
• 分類號: H01L29/70;H01L29/00
• 代理公司: 電子工業(yè)部專利服務(wù)中心
• 代理人: 許兆鵬

1、二維電子氣發(fā)射極半導(dǎo)體器件。N型半導(dǎo)體基片用離子注入工藝(或任何一種工藝)制成P型基區(qū)之后，用任何一種工藝?yán)鏑VD工藝淀積滿足下列要求的發(fā)射極材料：(1)寬禁帶、低空穴遷移率；(2)電子親和勢低，(3)與襯底材料間的界面態(tài)密度低、同時能重?fù)诫s。則可制成二維電子氣發(fā)射極半導(dǎo)體器件，即在發(fā)射極結(jié)的襯底材料一側(cè)形成相當(dāng)于重?fù)诫s發(fā)射極的二維電子氣層的半導(dǎo)體器件。

2、根據(jù)權(quán)利要求1，N型半導(dǎo)體基片指的是N型GaAs，N型InP和N型Si。

3、根據(jù)權(quán)利要求1，滿足三個條件的發(fā)射極材料包括含氟（F）的無定型硅碳化合物SixC_1-x′F。

4、根據(jù)權(quán)利要求1和3，含氟的無定型硅碳化合物其特征是：

X值的選取，必須使得導(dǎo)帶不連續(xù)值大于0.2ev，使摻雜濃度＞10¹⁹/cm³，從而使二維電子氣層的濃度＞5×10¹²/cm²，并取最大值。