[其他]富含鎘的Hg1-xCdxTe的薄層異質結光電池和Hg1-xCdxTe的電沉積法

無效

• 申請號: 85107575
• 申請日: 1985-10-17
• 公開（公告）號: CN85107575A
• 公開（公告）日: 1987-04-22
• 發明（設計）人: 布能特·M·巴索爾;埃里克·曾盛方;丹尼斯·羅仕好
• 申請（專利權）人: 索布奧商業發展公司;英國石油光電設備制造有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/06
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 劉元金,羅宏

1、一種在導電基本上，以控制Hg的化學計量的方法，使用含參比電極、以所述導電基片為陰極以及一個或幾個陽極的電解液，電鍍Hg_1-XCd_XTe薄層的方法，它包括下面幾步：用含有Cd²⁺離子，HTeO₂⁺離子和Hg²⁺離子的酸性水溶液來作電解溶液；調節上述參比電極和陰極之間所用的電位，控制溶液的Hg²⁺離子濃度，使上述的陰極表面形成一種可控制化學計量的Hg_1-XCd_XTe化合物。

2、如權利要求1所規定的方法，其中，電解液的溫度保持在80℃到95℃，使用兩個陽極是為了控制電解液的組成，其中一個陽極是碲。

3、如權利要求1所規定的方法，其中，該電解液含有0.1克分子到1.5克分子Cd²⁺離子，10^-5克分子到10^-3克分子HTeO⁺₂離子和Hg²⁺離子，Hg²⁺離子濃度選在約1到20ppm之間，以便獲得的沉積薄層具有需要的化學計量。

4、如權利要求1所規定的方法，其中，所說的電解液的PH值保持在1至3之間。

5、如權利要求1所規定的方法，其中，使用的電壓在-300mv至-785mv之間。

6、在權利要求1所規定的方法中，包括在該Hg_-1xCdxTe薄層中加入鹵素離子。

7、如權利要求6所規定的方法，其中，該鹵素離子為氯離子。

8、在權利要求1所規定的方法中，該基片是預先經過化學處理而形成的，其處理過程是：先在玻璃片表面沉積一層導電氧化物，再用含Cd²⁺和S₂O^2-₃的電解質液在該沉積層上電沉積一薄層CdS，電沉積電壓，相對于一般氫標準參比電極，維持在-360mv和-460mv之間。

9、在權利要求1所規定的方法中還包括進一步制備光電池的各種工藝步驟：400℃左右鍛燒Hg_1-xCdxTe薄層，在上述的Hg_1-xCdxTe薄層和CdS薄層界面上形成整流結，

用酸溶液蝕刻該Hg_1-xCdxTe薄層表面，以形成富含碲的表面，

用強堿溶液處理酸蝕刻過的上述表面，最后，在上述經蝕刻和處理過的表面上沉積一層導電金屬層。

10、一種太陽能電池，它至少用一層富含Cd的Hg_1-xCdTe（x＞0.5）作為活性的太陽能吸收層。

11、與權利要求10對應的太陽能電池，其中，上述至少一層富含Cd的Hg_1-xCdxTe的一面與一層導電金屬層歐姆接觸;上述至少一層富含Cd的Hg₁-xCdxTe的另一面與一半導體層接觸，其間形成異質結。

12、與權利要求10對應的太陽能電池，其中，上述至少一層富含Cd的Hg_1-xCdxTe的一面與一層導電金屬歐姆接觸;其另一面與一半導體層接觸。其間形成肖特基勢壘。

13、在權利要求10所規定的太陽能電池中，該富含Cd的Hg_1-xCdxTe層中還含有鹵素離子。

14、一種具有下列組成的太陽能電池：涂有一層導電氧化物的玻璃，在所述導電氧化物表面上的CdS薄層，在所述CdS層上沉積的富含Cd的Hg_1-xCdxTe（x0.5）半導體層以及以歐姆接觸沉積在所述Hg_1-xCdxTe層上的導電金屬層。

15、如權利要求14所規定的太陽能電池，其中，在歐姆接觸的界面上，該富含Cd的Hg_1-xCdxTe薄層的表面是富含碲的。

16、如權利要求14所規定的太陽能電池，其中，在上述富含Cd的Hg_1-xCdxTe層中還包含鹵素離子。