[其他]用于真空沉積鍍層的方法和裝置無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 85107585 | 申請(qǐng)日: | 1985-10-14 |
| 公開(公告)號(hào): | CN85107585A | 公開(公告)日: | 1987-05-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 古川平三郎;和氣完治;下里省夫;柳謙一;加藤光雄;和田哲義;筑地憲夫;愛甲琢哉;橘高敏晴;中西康二 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三菱重工業(yè)株式會(huì)社;日新制鋼株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | C23C14/56 | 分類號(hào): | C23C14/56 |
| 代理公司: | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利代理部 | 代理人: | 姚珊 |
| 地址: | 日本東京*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 真空 沉積 鍍層 方法 裝置 | ||
本發(fā)明涉及的是一種用于真空沉積鍍層的方法及裝置。
論及到的真空沉積鍍層的設(shè)備,是為了達(dá)到防止灰塵及類似物從大氣中侵入真空室的目的。已經(jīng)提出了從大氣壓力下逐漸降低真空室壓力的設(shè)備,用來(lái)逐漸地形成真空狀態(tài),同時(shí),充有大氣中不活潑氣體的室布置在退火爐和真空室之間。(見日本專利公開號(hào)6576/1969和日本專利臨時(shí)公開號(hào)85742/1978)。
在真空沉積鍍層工作的過程中,涂于鋼帶上的金屬鍍層的粘著強(qiáng)度必須達(dá)到這樣的要求:既使是在苛刻的工作條件下,例如承受180°的彎曲,甚至是180°的反復(fù)彎曲及類似情況,均不會(huì)出現(xiàn)剝落、裂紋和粉沫狀況。為了滿足這種要求,鋼帶需要進(jìn)行低溫退火,并在氫氣含量為5~75%的氣體中進(jìn)行還原,以便使鋼帶的表面很活潑,當(dāng)在這個(gè)活潑的表面上進(jìn)行真空沉積鍍層時(shí),鋼帶的金屬鍍層上即可獲得足夠的粘著強(qiáng)度。這就是說(shuō),如果把鋼帶送至真空沉積室,在活潑表面狀態(tài)下通過真空沉積室,就能夠獲得上面提到的目的。
剛剛描述的常規(guī)過程,其目的在于提供一個(gè)高壓室來(lái)防止灰塵和其它類似物侵入真空室,但僅憑這種結(jié)構(gòu)并不能提供真空鍍層的產(chǎn)品,即前面所要求的產(chǎn)品。這就是說(shuō),當(dāng)鋼帶在其中被退火并還原的低溫退火爐(具有大氣壓力加5至10mm水柱)與真空室直接連接時(shí),低溫退火爐中的氫氣(含量為5~75%)遂經(jīng)過真空室排出。如果真空室破裂,空氣(含有氧氣)侵入真空室,則很有可能發(fā)生爆炸。因此,所提出的設(shè)想不能在工業(yè)領(lǐng)域中應(yīng)用。
正是由于此種原因,采用了下述的其它措施:在退火爐和真空室之間配置一個(gè)氮?dú)庵脫Q室,并將氮?dú)猓∟2氣體)引入氮?dú)庵脫Q流室,取代其中的氫氣,因而氮?dú)饪捎烧婵帐遗懦觯⒖杀苊獗ǖ奈kU(xiǎn)。然而,在這種通常的方法中,氮?dú)猓∟2)卻白白地從系統(tǒng)中排放掉,這勢(shì)必導(dǎo)致材料成本大大地增加。
因此,本發(fā)明的目的是提供一種真空沉積鍍層的方法,以便能夠解決上面提到的問題,而且不影響退火爐、真空室和實(shí)行新方法的真空沉積鍍層裝置的固有作用。
這就是說(shuō),本發(fā)明涉及到一種用于真空沉積鍍層的方法,它包括使用一種真空沉積鍍層的裝置,該裝置包括:設(shè)在真空沉積鍍層室前面的入口側(cè)真空密封裝置,設(shè)在入口側(cè)真空密封裝置和退火爐之間的入口側(cè)不活潑氣體置換室,設(shè)在真空沉積鍍層室后面的出口側(cè)真空密封裝置,設(shè)在出口側(cè)真空密封裝置和大氣之間的出口側(cè)不活潑氣體置換室,用于使不活潑氣體從兩個(gè)真空密封裝置的真空室至兩個(gè)真空密封裝置的大氣壓力室進(jìn)行循環(huán)、及用于從不活潑氣體中分離出水、油和氧的不活潑氣體循環(huán)/純化裝置;以上所述真空沉積鍍層的方法,其特征在于,將純化后不活潑氣體中氧的濃度調(diào)節(jié)至60ppm或更低,氫的濃度調(diào)節(jié)至0.2~2.0%,并調(diào)整不活潑氣體的露點(diǎn)至-50℃或更低。
更進(jìn)一步說(shuō),本發(fā)明涉及到用于真空沉積鍍層的方法,它包括使用一種真空沉積鍍層的裝置,該裝置包括:設(shè)在真空沉積鍍層室前面的入口側(cè)真空密封裝置,設(shè)在入口側(cè)真空密封裝置與退火爐之間的入口側(cè)不活潑氣體置換室,設(shè)在真空沉積鍍層室后面的出口側(cè)真空密封裝置,設(shè)在出口側(cè)真空密封裝置與大氣之間的出口側(cè)不活潑氣體置換室,用于使不活潑氣體從兩個(gè)真空密封裝置的真空室至兩個(gè)真空密封裝置的大氣壓力室進(jìn)行循環(huán)、及用于從不活潑氣體中分離出水、油和氧的不活潑氣體循環(huán)/純化裝置;上述真空沉積鍍層的方法,其特征在于,分別把退火爐中的壓力P1調(diào)節(jié)至大氣壓力或更高,把入口側(cè)不活潑氣體置換室的壓力P2調(diào)節(jié)至大氣壓力或更高,把出口側(cè)不活潑氣體置換室的壓力P3調(diào)節(jié)至大氣壓力或更高,把P1、P2的差值P1-P2控制到0mm水柱或更高,把入口側(cè)不活潑氣體置換室中氫氣濃度控制到2.0%或更少。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





