[其他]MOS場效應晶體管的柵壓溫度篩選方法無效
| 申請號： | 85107886 | 申請日： | 1985-10-18 |
| 公開（公告）號： | CN85107886B | 公開（公告）日： | 1988-02-24 |
| 發明（設計）人： | 苗慶海;劉可辛 | 申請（專利權）人： | 山東大學 |
| 主分類號： | H01L21/145 | 分類號： | H01L21/145;G01R31/26 |
| 代理公司： | 山東大學專利事務所 | 代理人： | 王緒銀,楊富賢 |
| 地址： | 山東省*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mos 場效應 晶體管 溫度 篩選 方法 | ||
【權利要求書】：
1、一種MOS場效應晶體管的篩選方法，包括：
（1）首先測量待試驗晶體管的閾電壓VT。
（2）將晶體管的源極和漏極短路，柵極和源極之間施加直流偏壓，置于恒溫中老化。
（3）保持柵源偏壓不變，取出晶體管置于室溫中冷卻至室溫，再去除偏壓。
（4）再測量晶體管的閾電壓值VT′。
（5）比較閾電壓值ΔVT＝｜VT′-VT｜，△VT大的晶體管即為穩定性和可靠性差的晶體管。
其特征在于在所述恒溫老化同時，在MOS場效應晶體管的柵極與源漏極之間加直流偏壓，而源極與漏極是（相互）短路的。
2、根據權利要求1所說的篩選方法，其特征在于晶體管柵極與源極所加電壓為10-25伏（1×106伏/厘米），老化溫度為150℃-170℃。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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