[其他]程序可控半導體結構及其編制程序法

無效

• 申請號: 85108221
• 申請日: 1985-11-12
• 公開（公告）號: CN1006262B
• 公開（公告）日: 1989-12-27
• 發明（設計）人: 斯塔福德·R·奧夫辛斯基;羅伯特·R·約翰遜;文森特·D·肯尼拉;茨維·亞尼夫
• 申請（專利權）人: 能源轉換裝置公司
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 劉暉

1、一種改進類型的程序可控陣列（30、70、110、170）有很多單個的程序可控單元和第一套與第二套地址線（34、38;38、82;82、112;112、114;114、116;116、118），每套導線中間留有許多個間隔分開這些導線，其中把上述程序可控單元在每套上述第一和第二套地址線中至少用一條導線連接，改進的特征在于：

上述程序可控單元（10、20、54、160、172）的每一個在最初至少用很多整流半導體結（12、14;50、52）串聯形成的，再將每個單元程序控制成四種狀態之一，上述四種狀態中的第一種狀態（圖1A、2A、20A）是在兩條導線之間的單元電阻抗在兩個方向上都是相對比較高的，第二種狀態（圖1B、2B、20B）是在兩條導線之間的單元電阻抗在一個方向上是相對比較高的，而在相反方向上是相對比較低的，第三種狀態（圖1C、2C、20C）是在兩條導線之間的單元電阻抗在上述相反方向上是相對比較高的，而在上述第一個方向上是相對比較低的，第四種狀態（圖1D、2D、20D）是在兩條導線之間的單元電阻抗在上述兩個方向上都是相對比較低的。

2、一種如權利要求1所述的陣列，其中將上述每個單元在最初制成上述第一種狀態。

3、一種如權利要求1所述的陣列，其中上述每個單元都是非易失的存儲器單元，并將其在最初制成上述四種狀態中的一種，其中每個上述單元都被程序控制成上述其余三種狀態中的一種。

4、一種如權利要求1所述的陣列，其中上述程序可控單元在它的許多半導體結之間都有連接的終點部分（161），用來單個選取在上述終點部分和上述第一套地址線之間連接的至少其中一個上述半導體結（12;52），以及在上述終點部分和上述第二套地址線之間連接的至少另一個上述半導體結（14;50）。

5、一種如權利要求1所述的陣列，其中上述程序可控單元至少包括一層相位可變材料（40、42、44、45、46、48）。

6、一種如權利要求5所述的陣列，其中上述相位可變材料包括一個非晶半導體合金。

7、一種如權利要求6所述的陣列，其中上述非晶半導體合金是由硅、鍺或硅鍺結合構成的幾組材料中之一選擇形成的合金材料。

8、一種如權利要求1所述的陣列，其中上述程序可控單元（10、20、54、160、172）在上述整流結（12、14;50、52）之間包括一個金屬層（39、161）。

9、一種如權利要求1所述的陣列，其中上述程序可控單元是垂直排列的，并至少部分地由許多半導體材料層（36）形成的。

10、一種如權利要求1所述的陣列，其中上述程序可控單元的上述半導體結（12、14;50、52）至少部分地由沉淀的半導體材料形成的。

11、一種如權利要求9或10所述的陣列，其中上述半導體材料是非晶半導體合金材料（40、42、44、45、46、48;166、168）。

12、一種如權利要求9所述的陣列，其中每個上述程序可控單元都確定一對背靠背排列的二極管（12、14;50、52）和上述第一套與第二套地址線（34、38;38、82;82、112;112、114;114、116;116、118）至少部分地采取一些手段用來將上述半導體材料層電分隔成上述程序可控單元。

13、一種如權利要求12所述的陣列，其中在上述每對背靠背二極管中的每個二極管中間都制有一個金屬的分隔部分（39、161）。

14、一種如權利要求9所述的陣列（70、110），其中還有第二個多層（36）程序可控單元（54），該單元是在形成的上述第一個多層（36）半導體材料的上面至少部分地由第二個多層半導體材料（40、42、44、45、46、48;116、168）形成。