[其他]二極管多值動態存貯器

無效

• 申請號: 85108526
• 申請日: 1985-11-18
• 公開（公告）號: CN85108526A
• 公開（公告）日: 1986-09-03
• 發明（設計）人: 楊光宇
• 申請（專利權）人: 楊光宇
• 主分類號: G11C11/36
• 分類號: G11C11/36
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明屬于電子學。

本發明適用于制作動態存貯器。特別是多值存貯器，具有器件少，引線少，便于大規模集成的優點。

本發明利用了二極管正向電阻和反向電阻差別懸殊的特性，也即充電時間常數很短，而放電時間常數極長的特性。

由于二極管正向電阻很小，能在很短的時間內，將所需存貯的信號電壓輸入到存貯單元中去。當輸入信號取走后，由于二極管反向電阻極高，存貯單元中的電荷的漏泄十分緩慢，則所存貯的電荷能存貯一段時間。如能在此時間內及時重寫刷新，則存貯器能長期保存信號。重寫刷新的間隔時間，由二極管反向電阻的大小和雜散電容的大小而定。如需要延長重寫間隔，則可在圖1中所示的存貯二極管D₁的陰極到地之間再加一個存貯電容。

圖1電路的工作原理如下：

D₁～D₄組成第一字第一位的存貯單元，D₅₈～D₆₀組成第一字第十六位存貯單元，D₁₀₂₁～D₁₀₂₄組成第十六字第十六位存貯單元，其余類推。IC₁為第一字的讀令反相器，IC₂為第一字的寫令反相器，IC₃為第一字的清零反相器，其他反相器依此類推。Q1～Q16組成十六位重寫寄存器。

現以第一字第一位存貯單元為例，說明其存貯原理。當寫令為高電位時，A點為低電位，通過寫二極管D₂，使B點被箝位，亦為低電位。Q1輸出如為高電位，但輸不進去。當寫令為低電位時，A點為高電位，Q1的高電位通過存貯二極管D₁輸入到C點。寫令徹除后，B點為低電位，但由于D₁反偏，電阻極大，存貯在C點的電荷，只能緩慢漏泄，使電荷保存一段時間，如能及時重寫刷新，則能長期保存信號。在寫入之先，應先通過IC₃給一低電位，通過清零二極管D₃，使C點置零。D₄系讀輸出二極管。當有讀令時，IC₁通過讀出電容C₁產生一尖鋒脈沖，疊加在C點的電荷上，并通過D4輸出。圖2系二值讀入電路與存貯電路。

在圖2中，T1和T2組成高輸入阻抗的射極跟隨器。D₁～D₆用于箝位，防止電壓不夠產生誤觸發。T3為放大器，T4、T5組成存貯電路。

本發明能多值存貯。本人曾做過六值的實驗，效果很好。但此時，須將重寫寄存器和接收寄存器均改為多值寄存器。采用多值存貯時，能節省引線，從而能擴大集成電路的規模。