[其他]半導(dǎo)體集成電路器件

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 85108621
• 申請(qǐng)日: 1985-11-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN85108621A
• 公開(kāi)（公告）日: 1986-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鈴木康永;松原俊明;間明田治佳;浦上憲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社日立制作所
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/02
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/02;H01L27/06
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利代理部
• 代理人: 劉暉

1、一種半導(dǎo)體集成電路器件，包括：

(1)基本單元，每一個(gè)基本單元包括一個(gè)具有高負(fù)載驅(qū)動(dòng)容量的第一種元件，和一個(gè)其驅(qū)動(dòng)容量低于上述第一種元件的第二種元件；

(2)基本單元陣列，每一個(gè)都是在予定方向上布置許多上述基本單元形成的；以及

(3)一個(gè)基本單元矩陣，是在一個(gè)方向基本垂直于上述予定方向上布置許多上述基本單元陣列形成的，并在它們之間有予定空隙；

其中上述第一種元件是沿一個(gè)方向基本垂直于上述予定方向的上述基本單元中的外圍部位上布置的，而上述第二種元件布置在上述基本單元的中央部位上。

2、一種根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體集成電路器件，進(jìn)一步包括：

（4）一個(gè)第一運(yùn)行電位線和一個(gè)第二運(yùn)行電位線，用來(lái)把一個(gè)運(yùn)行電位加到上述基本單元上;

（5）在上述基本單元陣列中延長(zhǎng)第一布線，將上述第一和第二種元件連接，形成一個(gè)由上述第一和第二種元件結(jié)合組成的基本復(fù)合電路，并且用來(lái)連接構(gòu)成上述基本單元陣列的上述基本單元;

（6）第二布線在上述基本單元陣列之間予定間隙的區(qū)域內(nèi)延長(zhǎng)，并用來(lái)在上述基本單元陣列之間或在用幾個(gè)上述基本復(fù)合電路構(gòu)成的微單位之間傳送信號(hào);

其中上述第一和第二運(yùn)行電位線排列在上述基本單元陣列中，基本上分別平行于上述基本單元排列的預(yù)定方向，并在垂直上述予定方向上穿過(guò)每個(gè)上述基本單元的兩個(gè)邊緣，并且以一種可以采納的方法將其延長(zhǎng)，或者連到上述第一種元件上。

3、一種根據(jù)權(quán)利要求2的半導(dǎo)體集成電路器件，其中上述第一布線是由與上述第一和第二運(yùn)行電位線處于同一層的導(dǎo)電材料組成的。

4、一種根據(jù)權(quán)利要求2的半導(dǎo)體集成電路器件，其中上述第一種元件是一個(gè)雙極晶體管;上述第二種元件是一個(gè)絕緣門(mén)場(chǎng)效應(yīng)晶體管;每個(gè)上述基本單元都由彼此具有不同導(dǎo)電類(lèi)型的兩個(gè)雙極晶體管和兩個(gè)絕緣門(mén)場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成;上述兩個(gè)雙極晶體管的發(fā)射極-收集極通路彼此串聯(lián)插在上述第一和第二運(yùn)行電位之間。

5、一種根據(jù)權(quán)利要求4的半導(dǎo)體集成電路器件，其中上述兩個(gè)雙極晶體管是NpN晶體管，上述兩個(gè)絕緣門(mén)場(chǎng)效應(yīng)晶體管是硅門(mén)型p講道和N講道MOSFET晶體管。

6、一種根據(jù)權(quán)利要求4的半導(dǎo)體集成電路器件，其中可以用上述一個(gè)基本單元的所有上述元件構(gòu)成的電路基本上是一個(gè)3端輸入“與非”電路。

7、一種根據(jù)權(quán)利要求4的半導(dǎo)體集成電路器件，其中可以用一個(gè)基本單元的全部上述元件構(gòu)成的電路是一個(gè)具有m+n個(gè)信號(hào)輸入端的雙極-CMOS復(fù)合電路，上述m個(gè)信號(hào)輸入端可以只連接到上述第二布線上，同時(shí)上述n個(gè)信號(hào)輸入端可以只連接到上述第一布線上。

8、一種半導(dǎo)體集成電路器件，包括：

（1）一個(gè)半導(dǎo)體襯底;

（2）基本單元，每一個(gè)基本單元都包括一套在上述半導(dǎo)體襯底內(nèi)部或在其主表面上形成的一套電路組成元件;

（3）基本單元陣列，每一個(gè)都用在X方向排列的上述基本元件構(gòu)成;

（4）一個(gè)基本單元矩陣，該矩陣是在基本垂直于上述X方向的Y方向上排列的上述基本單元陣列形成的，在基本單元陣列之間具有予定空隙;

（5）一個(gè)第一運(yùn)行電位線和一個(gè)第二運(yùn)行電位線，用來(lái)把一個(gè)運(yùn)行電位加到上述基本單元上;

（6）第一布線在上述基本單元陣列中延長(zhǎng)，連接上述基本單元內(nèi)部形成的上述電路組成元件，形成基本電路，并用來(lái)連接構(gòu)成上述基本單元陣列的基本單元;

（7）第二布線在上述基本單元陣列之間的予定空隙區(qū)域中延長(zhǎng)，并主要用來(lái)在上述基本單元陣列之間傳送信號(hào);

其中每一個(gè)上述基本單元包括：m個(gè)第一信號(hào)輸入端，可將該輸入端只連到上述基本單元陣列內(nèi)部延長(zhǎng)的上述第一布線上;n個(gè)第二信號(hào)輸入端，可將其連接到上述第二布線上。

9、一種根據(jù)權(quán)利要求8的半導(dǎo)體集成電路器件，其中上述基本單元由許多p型和N型MOSFET晶體管和至少足以形成一個(gè)雙極晶體管的組成元件構(gòu)成，許多上述p型和N型MOSFET的門(mén)沿Y方向排列，并且每個(gè)上述門(mén)由第一門(mén)和第二門(mén)組成，而第二門(mén)的有效門(mén)長(zhǎng)度小于沿Y方向的上述第一門(mén)長(zhǎng)度。

10、一種根據(jù)權(quán)利要求9的半導(dǎo)體集成電路器件，其中上述第一信號(hào)輸入端是上述第二門(mén)的終端部位，而上述第二信號(hào)輸入端是上述第一門(mén)的終端部位。