[其他]雙極異質結晶體管及其制造方法

無效

• 申請號: 85108634
• 申請日: 1985-09-29
• 公開（公告）號: CN1003831B
• 公開（公告）日: 1989-04-05
• 發明（設計）人: 格翰納姆·莫斯塔法·耶黑亞;默坦斯·羅伯特;尼斯·約翰
• 申請（專利權）人: 英特大學微電子中心
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 劉暉

1、一種制造雙極異質結晶體管的方法，該晶體管基本上由硅材料形成，其制造步驟包括：

準備一種導電類型的基片作為集電極（4）;

在集電極（4）的上面或其中生成一個基極（3），該基極（3）基本上是微晶材料，且經過摻雜而具有另一種導電類型，其特征在于：

在上述基極（3）之上或之中，在溫度低于450℃下制作一發射極（2），該發射極（2）實質上是由摻雜的并經過氫化處理的第一種導電類型的硅材料構成，并且至少有一部分是呈非晶質狀態，也就是由完全非晶質氫化處理的硅（α-Si∶H）一直到微晶硅（uC-Si），其平均尺寸一般在2-100毫微米之間的小的微晶粒構成，并埋藏在非晶質的母體內，形成一個連續的晶粒結構和晶粒邊界結構。

2、按照權利要求1所述的一種制造雙極異質結晶體管的方法，其中可以用等離子體化學汽相沉積（PVCD）的方法制作發射極（2）。

3、按照權利要求2所述的一種制造雙極異質結晶體管的方法。其中將氫（H₂）加入到具有相當高的分壓的等離子體中，從而使發射極（2）基本上由摻雜的和氫化處理的呈微晶狀態的硅材料構成。

4、一種雙極異質結晶體管（1），基本上由硅材料形成，其中包括：一種導電類型的集電極（4），基極（3）在集電極（4）之中或之上形成上述基極呈微晶狀態，并通過摻雜形成另一種導電類型，其特征在于：將上述晶體管的發射極（2）制作在上述基極（3）之中或之上，且基本上由摻雜的和氫化處理的硅材料構成，其中至少部分呈非晶狀態。

5、按照權利要求4所述的一種雙極異質結晶體管（1），其中基極厚度小于0.5微米。